电路的三级放大

电路的三级放大（共8篇）

电路的三级放大篇1

班级：电信1203班姓名：

学号：

实习公司：

带队老师：

实习时间：

成绩：

评

蓝海泛舟嘻嘻陕西如意广电科技有限公司、金山电子厂朱代先、闫红梅 2014年7月7号~2014年7月11号通信与信息工程学院二〇一四年

一、实习目的1，让学生更加近距离的认识自己所学专业的实际工作。2，使学生认识到自己在学校所学知识的不确定性。

3，使学生明白自己未来所从事的工作所需的专业技能和实践性。4，学习本专业的生产实践知识，为专业课学习打下坚实基础。

二、实习时间

三、实习单位

陕西如意广电科技有限公司、金山电子厂

四、实习内容及过程

这次实习可以分为校内和校外两大部分，校内和校外的双模式，这种特有的教学模式更有利于我们对实习的全面的掌握。

周一早上，朱老师对这次动员大会作了介绍，并详细介绍了则这周我们的实习流程，让我们对这次实习有了充分的安排，并强调了我们在实习中应该注意的问题。为这次实习的成功奠定了坚实的基础。周二的时候是校外的参观实习，在老师的带领下，我们来到了咸阳去了几个电子厂去参观学习，我觉得这是这次实习学到的东西最多的；周三，学校给我们请来了大唐移动的博纳通信公司的工程师给我讲了很多关于TD-LTE的相关方面知识和一些就业的东西，同学们都认真的听讲并进行了踊跃的提问，让我们对TD-LTE有了充分地了解；周四学校安排了企业文化讲座，让我们感受到了一个企业的文化对于企业的生存和发展的重要，企业文化影响了一代又一代的企业人，对企业的发展起到了举足轻重的作用。我们应该全面的对企业文化进行充分的了解，以便我们能够为企业的发展做出巨大的贡献。下面是我们这周实习的具体过程：

我们首先参观了如意的电子公司。下面我介绍一下陕西如意光电科技有限公司。陕西如意广电科技有限公司是2008年12月16日经原陕西如意电气总公司改革改制、资产重组注册成立的国有独资企业，位于陕西省咸阳市电子开发区国家显示器件产业园，占地19万平方米，注册资本1亿元，总资产1.2亿元，现有从业人员1000余人。公司前身为电子工业部762厂。现为中国广播电视设备工业协会副会长单位，国家广电设备定点生产企业。

公司近40年来致力于广播通讯和卫星接收设备的研发和生产，是国家广播电视发射机研发、生产、销售定点企业、西北地区唯一具备卫星电视广播地面接收设备（含卫星数字电视接收机、卫星电视接收天线等产品）生产许可资质和内销资质的定点生产企业，是陕西省电子信息设备制造骨干企业之一。

我们首先参观了它里面的三个工厂，其中闫老师和里面的工作人员带领我们参观了第一个钣金厂，让我们看到了它里面一系列的工作流程，第一步是原材料入库，第二步是领料，第三步是剪板（里面的工作人员叫做改板，里面的工作人员介绍说它的主要作用就是将一块较大的原料经过改板变成较小的、规则的），第三步是冲孔，第四步是折弯（里面的工作人员叫做弯边），第五步是焊接，第六步是抛光，第七步是上胶，第八步是包塑，最后一步是成品入库。

我们参观学习如意的电子公司后，给我留下最深的印象是车间很多没有见过的大型机器，其中有一个切割机床，根据介绍的阿姨说那是这个厂子里最先进的机械了，它的整机都是进口的，承担了这个生产线的最重要的工作部分，可惜的是在我们参观学习的时候它并没有开机工作，但是，只是它的巨大的机身就给我们留下了深刻印象。随后，在参观变压器厂时，我了解到，如意电子厂分为几个子公司，是国有公司,公司是以生产广播发射机、数字电视发射机、地面卫星接收机、电视机、遥控器、变压器等产品和电视机配套加工为主体的专业厂家。在看到变压器时，给我们介绍的老师给我们简单的介绍了变压器的基本原理以及这儿的变压器的一些规格，其中不但有小型的给收音机变压的器件，还有给高铁变压的一些组件，在实习的过程中，还看了变压器的线圈的绕制，我们有的同学还亲手动手开动了机器去工作，其中5个5千多圈的线圈用了一分钟就制造成功了，感觉效率很高。

接下来我们又来到了金山电子厂，那里的老师给我们介绍了金山公司从事电子电力系统线路板、IC卡智能电表、IC卡智能水表、IC卡智能天然气表、大屏幕显示驱动板、LED电子显示屏、报警器系列等电子民用、军用产品的制造加工。这些让我们对金山公司有了一个初步的了解，到了公司的厂房里讲解的老师给我们讲了一些专业的焊点形态成形和可靠性设计，我们还做了笔记并且拍了照片，其中的一些理论虽然还没有去学到，但是在老师的讲解下感觉对那个也有了一定的了解，比如，焊点可靠性是采用表面组装技术形成的电子产品的生命，对于航空和军用SMT产品，其重要程度尤为突出。焊点形态理论及其CAD技术是研究SMT焊点成形后的外观几何形态与焊点可靠性之间关系的新理论、新方法，近年来国内外在该方面的研究相当活跃。

老师给我们大致讲了SMT焊点因型众多且其形态大多为复杂的三维形态，研究难度较大。为此目前在SMT焊点形态理论研究方面尚存在许多不完善之处。例如，至今尚无将焊点形态成形CAD和焊点热疲劳寿命可靠性CAD结合一体的SMT焊点形态CAD研究成果。本文以塑料球珊阵列器件焊点形态研究为例，通过形态建模和成形预测、模型转换，热应力应变和疲劳寿命可靠性预测CAD有机地结合为一体，形成SMT焊点形态CAD实用软件，较好地解决了SMT焊点优化CAD问题，进一步完善了SMT焊点形态理论和方法。

周三我们听讲了企业文化讲座。我们学校为我们请到了大唐移动公司里的教育部里的工程师为我们宣讲了企业文化并介绍了TD-LTE.LTE是基于OFDMA技术、由3GPP组织制定的全球通用标准，包括FDD和TDD两种模式用于成对频谱和非成对频谱。

T D-LTE还是由中国主导的拥有自主知识产权的主流4G通信技术，它的共同开发者包括：上海贝尔、诺基亚西门子、大唐电信、华为技术、中兴通讯、中国移动、高通等因为TD-LTE是要在手机上广泛用的技术，我就举例从手机网络特性说下。我们的手机要通讯、要打电话、要发短信、在线看电影、还要可视通话。这些功能前几年的手机肯定不行，因为他们采用的是GSM网络（2G标准）只能用来发短信打电话，后来加了个GPRS技术后可以上上网。后来采用3G标准的三种通讯技术来了，很好速度很快，可以高速上网、还可以看电影、可视通话了。那么现在4G标准的两种通讯技术中的一种，即TD-LTE来了，它速度更快，最高网速超过100Mbps。我发稿的前中国移动在杭州的TD-LTE网络，测试速度显示：下载一部800M的电影，一般只需要两分多钟。

大唐移动以其在国际第三代移动通信技术及标准——TD-SCDMA上的卓越创新

为核心，以拥有自主核心知识产权和开发系统及终端全系列产品为基础，以致力于公网、专网的客户应用服务和为客户提供全面解决方案为已任，充分利用技术创新和产业空间两个资源优势，稳健经营，保持公司持续快速发展，成为中国乃至世界移动通信领域的领先者。大唐移动在4G这方面做的很好，作为4G的领军人物，大唐移动秉持着严谨的作风。始终站在科技的最前沿，为中国的4G事业作出了巨大的贡献。

五、实习总结及体会

通过认识实习，使我深深体会到，干任何事都必须耐心，细致．实习过程中，许多过程有时不免令我感到有些心烦意乱：因为不小心我计算出错，只能毫不情意地重来．但一想起老师的孜孜不倦的教诲，想到今后自己应当承担的社会责任，想到世界上因为某些细小失误而出现的令世人无比震惊的事故，我不禁时刻提示自己，一定要养成一种高度负责，认真对待的良好习惯．

这次设计使我在工作作风上得到了一次难得的磨练．短短1周是认识实习，使我发现了自己所掌握的知识是真正如此的缺乏，自己综合应用所学的专业知识能力是如此的不足，几年来的学习了那么多的课程，今天才知道自己并不会用．想到这里，我真的心急了，但我不泄气，我会继续努力，弥补以前的不足，不断完善自己。

另外，我虽然学了不少的课本文化知识，但到金山电子厂后，我发现自己对他们的一些基本的知识讲解我都不了解。我感觉自己学的基本知识与电子厂的理论差距很大。我们应该在学习上应该多联系，勤思考。不应该只局限于课本知识，用全局的眼光看待问题。学习拓展性思维。有利益培养自己的发散思维。为以后专业文化知识奠定一定的基础。

电路的三级放大篇2

在现代雷达接收机中,应用最广的结构是超外差结构[1]。在该结构中,单片系统往往需要片外滤波器去除镜像信号,例如SAW滤波器,因而给系统的集成度带来影响。为了达到一定的镜像抑制比,而又不使用片外滤波器,通常使用镜像抑制混频器能提供60 dB左右的抑制度。但现代雷达接收机至少需要80 dB的抑制度,这就给镜像抑制混频器的设计增加了难度。

为解决该问题,研究工作主要集中在镜像抑制LNA的设计上[2,3,4]。从文献[5,6]中,可以看到通过LNA与陷波滤波器(notch filter)的连接,其单片LNA的抑制度分别达到20 dB和75 dB。本文结合雷达接收机中LNA的指标,通过设计电路结构提高抑制度,与后级的镜像抑制混频器连接达到了较高的镜像抑制比,提高了整个雷达接收机对镜像信号的抑制度。

1 陷波滤波器

在本文中,对低噪声放大器的要求是工作频段为S频段,噪声系数FN为2～3 dB,功率增益在30 dB以上,输出1 dB压缩点不低于10 dBm,工作电压为5 V。针对以上要求,采用的LNA基本结构为发射极电感负反馈。式(1)表明,选择适当的感值就能使端口得到匹配,最重要的是,这种结构在信号的通道上避免了噪声电阻,大大降低了噪声系数,如图1所示。

$Ζ_{i n} \approx s (L_{b} + L_{e}) + \frac{1}{s C_{b e}} + ω_{Τ} L_{e} (1)$

陷波滤波器分为有源和无源2种结构[7,8],为减少设计的复杂度,在镜像抑制LNA设计中,采用无源结构,如图2所示,其中包括了C1,C2和L1 3个无源元件(L1中寄生电阻值为RL1)。

$Ζ_{i n} = \frac{L_{1} (C_{1} + C_{2}) s^{2} + 1}{C_{1} C_{2} L_{1} s^{3} + C_{2} s} (2)$

抑制的镜像频率fim和通过的信号频率fuse分别为:

$\begin{array}{l} f_{i m} = \pm \frac{1}{2 π \sqrt{L_{1} (C_{1} + C_{2})}} (3) \\ f_{u s e} = \pm \frac{1}{2 π \sqrt{L_{1} C_{1}}} (4) \end{array}$

滤波器的Q值为:

$Q = \frac{[L_{1} / (C_{1} + C_{2})]}{R_{L_{1}}}^{\frac{1}{2}} (5)$

2 LNA设计分析

LNA的性能很大程度上决定了雷达接收机的性能指标。为了满足设计指标中的功率增益,实际的LNA采用三级级联的方式设计。

$\begin{array}{l} F_{Ν} = F_{1} + (F_{2} - 1) / G_{A 1} + (F_{3} - 1) / (G_{A 1} G_{A 2}) (6) \\ Ι Ι Ρ 3 = 1 / (Ι Ι Ρ 3)_{1} + G_{1} / (Ι Ι Ρ 3)_{2} + (G_{1} G_{2}) / (Ι Ι Ρ 3)_{3} (7) \end{array}$

式中:Fn,GAn,(IIP3)n分别为LNA每级的噪声系数(这里n=1,2,3), 功率增益和三阶交调参数。

从式(6)、式(7)不难得出:

(1) 降低模块的噪声系数,主要是降低前级电路的噪声系数;

(2) 为了降低后续电路的噪声对整个模块的噪声影响,前级模块需要提供适当的增益;

(3) 要提高模块的线性度,除了提高各级电路的线性度之外,各级的增益不能太高。

为了满足整个LNA的噪声要求,第一级放大器应主要面向优化噪声设计,以得到最小的噪声系数,整个系统的噪声系数基本取决于第一级的噪声系数。第二级放大器应在面向噪声优化的同时,提供一定的增益和线性度,以避免整个放大器的增益过低。第三级放大器主要面向线性度的优化,通过诸如增大发射极电感的大小和晶体管偏置电流等手段,可以有效地提高1 dB功率压缩点输出功率,但是增益会受到一定的影响。

基本放大器采用共源共栅结构[9],既可以增加输入/输出的隔离度,又降低了Ld1和M2间的Miller效应。同时,M1与M2之间接入电感Ld1[10],有助于改善放大器的增益和噪声情况。

在三级电路设计中,最复杂的是第三级电路。第三级放大器要满足1 dB功率压缩点输出不小于10 dBm的要求,因此主要是面向优化线性度设计。

放大器的电路图如图3所示,放大器的输出功率三阶交调点可以由式(8)来估计:

$Ο Ι Ρ 3 = 10 \log (5 V_{c e} Ι_{c}) (8)$

从式(8)中可以看出要提高放大器的线性度,可以通过提高放大管的Vce电压和集电极电流Ic。由于Vce不会很高,主要就是通过提高集电极电流Ic来提高放大器的线性度,但是一味地提高电流也会带来功耗的增加。

增加发射极电感可以提高1 dB功率压缩点的输出功率,但是放大器的增益会随之降低,同时1 dB功率压缩点的输入会增大,加大对前一级放大器线性度的压力。所以发射极电感只能选择一个合适的感值,不能过大。

3 LNA仿真结果

仿真结果如图4、图5所示。

在镜像频率附近,增益由无陷波滤波器时的25 dB 左右,降到-21.9 dB值附近,对进入LNA的镜像信号起到一定的抑制作用。表1表明电路在频段内稳定度状况,系数远大于1,电路绝对稳定。

另外,从式(5)可看出陷波滤波器的Q值受电感中的寄生电阻所限制。所以,在CMOS工艺中,电感的特性影响着LNA最后的性能。

通过表2可以看到LNA在有陷波滤波器和没有陷波滤波器两种情况下的仿真结果的对比。

4 结语

为了达到单片雷达接收机对镜像抑制度的要求,采用CMOS 0.18 μm工艺设计了一个三级级联的镜像抑制LNA。通过在LNA中接入无源限波滤波器,实现对镜像信号的衰减,从而减小了后端混频器电路的设计难度。最后在ADS中对设计的放大器进行仿真,其结果为,最大供电电压为5 V情况下,信号频段3.0～3.2 GHz,中频输出为225 MHz,功率增益≥31 dB,噪声系数≤0.5 dB,输入/输出1 dB点的功率分别为-19.5 dBm和11.5 dBm,对镜像信号的抑制度达22 dB。避免了使用片外滤波器,提高了系统的集成度。由于目前的CMOS工艺中,电感的品质依然有待提高。单片镜像抑制LNA要想达到更好的性能,还有待进一步研究。

参考文献

[1] RAZAVI B.RF Microelectronics[M].[S.l.]:Prentice Hall, 1998.

[2]WU S.A 1 GHz image-rejection down-converter in 0.8μmCMOS technology[J].IEEE Trans on.Consum.Elec-tron.,1998,44(2):235-239.

[3]MALIGERORGOS J P.A low-vlotage 5.1~5.8 GHzimage-rejecton receiver with wide dynamic range[J].IEEESolid-State Circuits,2000,35(12):1917-1926.

[4]KHANNUR P B.A 2.45 GHz fully differential CMOSimage-reject mixer for bluetooth applicatons[J].Radio Fre-quency Integrated Circuits Symp.,2002:415-418.

[5]NGUYEN Trung-Kien,OH Nam-Jin,CHA Choong-Yul.Image-rejection CMOS low-noise amplifier design optimiza-tion techniques[J].IEEE Trans.on Microwave Theory andTechnique,2005,53(2):538-547.

[6]WENG Ro Min,LIN Pei Shan.A 2 V CMOS low noise am-plifier with tunable image filtering[C]//The 2004 IEEEAsia-Pacific Conference on Circuits and Systems.[S.l.]:IEEE,2004:293-296.

[7] MACEDO J. A 1.9 GHz silicon receiver with monolithic image reject filtering[J]. IEEE Solid State Circuits, 1996, 33(3): 378-386.

[8] Samavati H. A 5 GHz CMOS wireless LNA receiver front-end[J]. IEEE Solid State Circuits, 2000, 35(5): 765-772.

[9]LEE Thomas H.The design of CMOS radio-frequency inte-grated circuits[M].[S.l.]:Publishing House of Electron-ics Industry,2005.

电路的三级放大篇3

关键词电子电路设计；语音放大电路；Multisim仿真

中图分类号：TP391.9 文献标识码：B

文章编号：1671-489X（2015）16-0037-02

1 设计任务与技术指标

设计任务设计并制作一个由集成运算放大器组成的语音放大电路，其作用是不失真地放大输入的音频信号。为此，语音放大电路应由输入电路、前置放大器、有源带通滤波器、功率放大器和扬声器几部分构成。

技术指标

1）前置放大器：输入信号Uid≤10 mV，输入阻抗Ri≥100 kΩ，共模抑制比KCMR≥60 dB。

2）有源带通滤波器：带通频率范围300 Hz～3 kHz。

3）功率放大器：最大不失真输出功率Pom≥5 W，负载阻抗RL=4 Ω。

2 工作原理

由于话筒的输出信号比较小，为此需用前置放大器对话音进行放大。声音是通过空气传播的一种连续的波，说话的信号频率通常在300 Hz～3 kHz之间，这种频率范围的信号称为语音信号。声音在空气中传播会产生谐波失真，为了提高输出信号的高保真性能，需要设计频率范围在300 Hz～

3 kHz之间的带通滤波器，用于滤除语音信号频带以外的噪声。功率放大器用于对语音信号进行功率放大驱动扬声器输出，要求输出功率尽可能大，转换效率尽可能高，非线性失真尽可能小[1]。

3 设计方案

根据技术指标要求，可由输入信号、最大不失真输出功率、负载阻抗，求出系统总电压放大倍数Au=894。由于实际电路中存在损耗，故取Au=900。根据各单元电路的功能，各级电压放大倍数分配为：前置放大器11倍，有源带通滤波器2.5倍，功率放大器33倍。

前置放大器前置放大器为测量用小信号放大电路。由于传声器输出信号的最大幅度仅有若干毫伏，而共模噪声可能高到几伏，在设计中要考虑放大器输入漂移、噪声以及放大器本身的共模抑制比对设计精度的影响，前置放大器应该是一个高输入阻抗、高共模抑制比、低漂移的小信号放大电路。本设计采用具有很高输入阻抗、能与高阻话筒配接的同相比例运算电路作为前置放大器，电路如图1所示，其电压放大倍数Au为：

所以取R1=10 kΩ，R2=100 kΩ，R3=R4=200 kΩ。

有源带通滤波器由有源器件和RC网络组成的滤波器称为有源滤波器。按照滤波器工作频带的不同，可分为低通、高通、带通和带阻四种滤波器。根据语音信号的特点，语音滤波器应该是一个二阶有源带通滤波器，其频率范围应在300 Hz～3 kHz之间。

1）二阶有源低通滤波器。二阶有源低通滤波器如图2所示。

电压放大倍数为：

设品质因数Q=0.707，得通带放大倍数Aup=1.58，故取R3=47 kΩ，R4=27 kΩ。由于f0=3 kHz，若取C1=C2=6.8 nF，

则有R1=R2=8.2 kΩ。

2）二阶有源高通滤波器。高通滤波器与低通滤波器具有对偶性，若把图2中的C1、C2和R1、R2位置互换，就可得到二阶有源高通滤波器。电压放大倍数为：

设品质因数Q=0.707，得Aup=1.58，故取R3=47 kΩ，R4=

27 kΩ。由于f0=300 Hz，若取C1=C2=68 nF，则有R1=R2=

8.2 kΩ。

3）宽带带通滤波器。当低通滤波器的截止频率大于高通滤波器的截止频率时，将二阶低通滤波器和二阶高通滤波器串联，就可得到通带较宽的二阶带通滤波器。该方法构成的带通滤波器多用作测量信噪比的音频带通滤波器，其带宽由两个滤波器的截止频率决定，且通带截止频率易于调整[2]。

功率放大器功率放大器的作用是给语音放大电路的负载（扬声器）提供所需的输出功率。LM386是一种低电压音频集成功放，具有电源电压范围宽、静态功耗低、电压增益可调、外接元件少和低失真度等优点。

LM386的典型应用电路如图3所示。LM386的电源电压范围为4～15 V，静态电源电流为4 mA，输入阻抗为50 kΩ。

电路由单电源供电，输出端经输出电容C5接负载，以构成OTL电路。RP1和C6阻容网络用来设定电压增益，即调节电位器RP1，可使电压增益在20～200之间变化；C2为去耦电容，用来滤掉电源的高频交流成分；C3为旁路电容，起滤除噪声的作用；R1和C4校正网络用来进行相位补偿，防止电路高频自激；C5为耦合电容，起隔直流通交流作用。

4 电路实现

利用Multisim软件画出各单元电路的仿真电路图，先对各单元电路进行分级调试，再将各单元电路级联进行整机调试；然后进行电路焊接与装配，对实际电路进行性能指标测试；最后进行实际系统音质效果试听，即将话筒或收音机的耳机输出口接语音放大电路的输入端，用扬声器代替负载电阻，应能听到音质清晰的声音。

参考文献

[1]于卫.模拟电子技术综合实训教程[M].武汉：华中科技大学出版社，2013.

差动放大电路实验报告篇4

1.实验目的（1）

进一步熟悉差动放大器的工作原理；

（2）

掌握测量差动放大器的方法。

2.实验仪器

双踪示波器、信号发生器、数字多用表、交流毫伏表。

3.预习内容

（1）

差动放大器的工作原理性能。

（2）

根据图3.1画出单端输入、双端输出的差动放大器电路图。

4.实验内容

实验电路如图3.1。它是具有恒流源的差动放大电路。在输入端，幅值大小相等，相位相反的信号称为差模信号；幅值大小相等，相位相同的干扰称为共模干扰。差动放大器由两个对称的基本共射放大电路组成，发射极负载是一晶体管恒流源。若电路完全对称，对于差模信号，若Q1的集电极电流增加，则Q2的集电极电流一定减少，增加与减少之和为零，Q3

和Re3等效于短路，Q1,Q2的发射极等效于无负载，差模信号被放大。对于共模信号，若Q1的集电极电流增加，则Q2的集电极电流一定增加，两者增加的量相等，Q1、Q2的发射极等效于分别接了两倍的恒流源等效电阻，强发射极负反馈使共射放大器对共模干扰起强衰减作用，共模信号被衰减。从而使差动放大器有较强的抑制共模干扰的能力。调零电位器Rp用来调节T1,T2管的静态工作点，希望输入信号Vi=0时使双端输出电压Vo=0.差动放大器常被用作前置放大器。前置放大器的信号源往往是高内阻电压源，这就要求前置放大器有高输入电阻，这样才能接受到信号。有的共模干扰也是高内阻电压源，例如在使用50Hz工频电源的地方，50Hz工频干扰源就是高内阻电压源。若放大器的输入电阻很高，放大器在接受信号的同时，也收到了共模干扰。于是人们希望只放大差模信号，不放大共模信号的放大器，这就是差动放大器。运算放大器的输入级大都为差动放大器，输入电阻都很大，例如LF353的输入电阻约为1012Ω量级，0P07的输入电阻约为107Ω量级。

本实验电路在两个输入端分别接了510Ω电阻，使差动放大器的输入电阻下降至略小于这一数值，这是很小的输入电阻。其原因是，本实验电路用分列元件组成，电路中对称元件的数值并不是完全相等；其集电极为电阻负载，而不是恒流源负载；其发射极为恒流源负载，而不是镜像电流源负载，所以本实验电路的共模抑制比并不高。若本实验电路在输入端不接510Ω电阻，其输入电阻将较大，而共模抑制比不够高，实验环境中存在的高内阻共模干扰将进入输入端，那么输出端的共模干扰将较大，以致使验证差动放大器特性的实验难以进行。由于实验中所用信号源都为低输出电阻信号源，所以输入端接上510电阻后几乎不影响实验电炉接受来自信号源的信号，而高内阻共模干扰因实验电路输入电阻大大下降而基本上被拒之输入端外，从而使得输出端的共模干扰很小，实验得以顺利进行。输入端接510Ω电阻并不改变差动放大器的共模抑制比。

由此可见，在可以降低差动放大器输入电阻时，降低差动放大器输入电阻，可提高差动放大器的抗高内阻共模干扰的能力。

实验这弱的到教师的同意，可去掉实验电炉中的两个510欧电阻，再做实验就会发现，实验电路输出端的共模干扰明显增加。

（1）

静态工作点的调整与测量

将两个输入端Vi1、Vi2接地，调整电位器Rp使VC1=VC2，测量并填写下表。由于元件参数的离散，有的实验电路可能只能调到大致相等。静态调整的越对称，该差动放大器的共模抑制比就越高。

测量中应注意两点，一是所有的电压值都是对“地”测量值。二是应使测量的值有三位以上的有效数字。

静态工作点调整

对地电压

VB1

VB2

VB3

VC1

VC2

VC3

VE1

VE2

VE3

测量值（V）

-7.9012

6.4711

6.4501

-0.7817

-0.63985

-0.64013

-8.5650

由以上数据可得交流放大倍数为：

（2）

测量双端输入差模电压放大倍数

在实验箱上调整DC信号源，使得OUT1大约为0.1V，OUT2大约为-0.1V，然后分别接至Vi1、Vi2，再调整，使得OUT1为0.1V，OUT2为-0.1V，测量，计算并填写下表。

双端输入差模电压放大倍数

测量值（V）

计算值

VC1

VC2

AD1

AD2

3.1555

9.7610

-6.6055

-16.58

-16.55

-33.0

仿真测量值（V）

仿真计算值

2.304

10.367

-8.063

-20.84

-19.58

-40.31

这样做的原因是，实验电路的输入端对地有510欧的电阻，实验箱上的可变直流电压源是用1kΩ的可变电阻对5V、0.5V直流电压分压实现的，即直流电压信号源内阻于实验电路输入电阻大小可比。直流电压信号源接负载使得电压将明显小于未接负载时的电压，所以必须将直流电压信号源于实验电炉连接后，再把输入电压调到所需要的电压值。

这里，双端输入差模电压单端输出的差模放大倍数应用下式计算：

差模放大倍数实验值与仿真值误差为：

差模放大倍数的理论值可由以下公式计算：，其中

（3）

测量双端输入共模抑制比CMRR

将两个输入端接在一起，然后依次与OUT1、OUT2相连，记共模输入为ViC。测量、计算并填写下表。若电路完全对称，则VC1-VC2=Vo=0，实验电路一般并不完全对称，若测量值有四位有效数字，则Vo不应等于0.这里双端输入共模电压单端输出的共模放大倍数应用下式计算：

建议CMRR用dB表示

测量双端输入共模抑制比CMRR

输入（V）

测量值（V）

计算值

VC1

VC2

AC1

AC2

CMRR

+0.1001

6.4743

6.4469

0.0247

0.032

-0.032

0.247

42.52

输入+0.1仿真

6.327

0.02

-0.02

无穷

-0.1003

6.4917

6.4328

0.0589

0.206

-0.383

0.589

34.96

输入—0.1仿真

6.329

0.04

-0.04

无穷

由于理想状态下（正如仿真所得），所以共模放大倍数理论值为0，因此共模抑制比CMRR理论值为无穷。

事实上，电路不可能完全对称，因此，共模输入时放大器的∆V

不等于0，因而

AC也不等0，只不过共模放大倍数很小而已。共模输入时，两管电流同时增大或减小，Re3上的电压降也随之增大或减小，Re3起着负反馈作用。

由此可见，Re3

对共模信号起抑制作用；Re3

越大，抑制作用越强。晶体管因温度、电源电压等变化所引起的工作点变化，在差动放大器中相当于共模信号，因此，差动放大器大大抑制了温度、电源电压等变化对工作点的影响。

（4）

测量单端输入差模电压放大倍数

将Vi2接地，Vi1分别于OUT1、OUT2相连，然后再接入f=1KHz，有效值为50mV的正弦信号，测量计算并填写下表。若输入正弦信号，在输出端VC1、VC2的相位相反，所以双端输出Vo的模是它们两个模的和，而不是差。

单端输入差模电压放大倍数

输入

测量值（V）

单端输入放大倍数AD

VC1

VC2

直流+0.1V

4.8068

8.1128

-3.306

-33.06

直流-0.1V

8.1683

4.7584

3.4099

-34.10

正弦信号

0.768

0.774

1.542

30.84

仿真如下：

输入

测量值（V）

单端输入放大倍数AD

VC1

VC2

直流+0.1V

4.225

8.434

-4.209

-42.09

直流-0.1V

8.436

4.224

4.212

-42.12

正弦信号

1.06

2.12

42.4

实验值与仿真值的误差为：

单端输入的差模放大倍数理论上应该与双端输入的相近，因此其理论值也是-105.4

5.思考题

（1）

实验箱上的双端输入差动放大器的共模抑制比不算高，若要进一步提高共模抑制比，可采取哪些办法？

1）

提高差动放大器的输入阻抗或提高闭环增益。

2）

可以用一个晶体管恒

流源取代

Re3。因为工作于线形放大区的晶体管的Ic

基本上不随

Vce

变化（恒流特性），所以交流

电阻=△Vce

/△Ic

很大，大大提高了共模抑制比。

（2）

图3.1中的电阻Rb1、Rb2在电路中起到什么作用，若去除上述两个电阻，按实验（3）步骤和方法再测CMRR，两次测量的结果是否会有较大差别？为什么？

在两个输入端分别接了510Ω电阻，使差动放大器的输入电阻下降至略小于510Ω，这是很小的输入电阻。其原因是，本实验电路用分列元件组成，电路中对称元件的数值并不完全相等；其集电极为电阻负载，而不是恒流源负载；其发射极为恒流源负载，而不是镜像电流源负载，所以本实验电路的共模抑制比并不高。若本实验电路在输入端不接510Ω电阻，其输入电阻将较大，而共模抑制比不够高，实验环境中存在的高内阻共模干扰将进入输入端，那么输出端的共模干扰将较大，以致使验证差动放大器特性的实验难以进行。由于实验中所用信号源都为低输出电阻信号源，所以输入端接上510Ω电阻后几乎不影响实验电路接收来自信号源的信号，而高内阻共模干扰因实验电路输入电阻大大下降而基本上被拒之输入端外，从而使得输出端的共模干扰很小，实验得以顺利进行。输入端接510Ω电阻并不该变差动放大器的共模抑制比。

去掉实验电路中的两个510Ω电阻，再做实验就会发现，实验电路输出端的共模干扰明显增加。

（3）

归纳差动放大器的特点与性能，并于共射放大器比较。

放大器电路设计学习心得篇5

反馈深度

如图1所示的反相（左）和同相（右）电路中，反馈深度的表达式为FZfZs3V10ZL0V13ZL021Zs2Zf1Zf。

ZsZf0

图1放大器同相与反相接法

虚短的条件

F|1是虚短成立的必要条件。所以如图2的电路中，由于F=|AopenRs0，RsRf因此虚短不成立，此时的放大器类似于比较器。从输入输出波形可以知道，放大器同相端的电位和反相端不相同，输出（蓝色）变为方波。

Zf+XSC1_A2V1ZL001+_B+Ext Trig_

图2“虚短”成立条件测试跟随器的反馈深度最大

任何放大电路都是反馈量越大，越容易发生振荡。而且，输出有电容连接时，振荡的可能性还会增加。跟随器的反馈深度最大，为全反馈，此时F1，输出全部反馈到输入端。

1++_XSC1A3V1ZL0_B0+Ext Trig_

图3反馈深度最大的跟随器电路

零点与极点—感性认识

问题的提出

电路中经常要对零极点进行补偿，想问，零点是由于前馈产生的吗？它产生后会对电路造成什么样的影响？是说如果在该频率下，信号通过这两条之路后可以互相抵消还是什么？？极点又是怎么产生的呢？是由于反馈吗？那极点对电路的影响又是什么？产生振荡还是什么？？

对于零点，个人认为零点的产生是与前馈有关，前馈路径与主信号通路的叠加以及相消产生了零点，当叠加时产生左半平面零点有助于稳定性，当相消时产生右半平面零点，这对系统的稳定性很不利，因此要抵消它。并不是所有的前馈都会产生零点，要看它前馈入径是否有并联的电阻。零点的产生

零点可以由两条环路产生，原理是两条环路的滞后不同时，就形成了相对的前馈。也可以由电阻串电容产生，其实说到底都是相位超前的原因。零点在CMOS中往往是由于信号通路上的电容产生的，即信号到地的阻抗为0，在密勒补偿中，不只是将主极点向里推，将次极点向外推（增大了电容），同时还产生了一个零点（与第三极点频率接近）。

极点的产生与影响

极点又是怎么产生的呢？是由于反馈吗？那极点对电路的影响又是什么？产生振荡还是什么？？

极点决定的是系统的自然响应频率，通常在电路中就是对地电容所看进去的R和对地电容C共同决定的。

极点的产生就是由于引入电容与电阻的并联，产生极点的频率就是1/RC。这个与反馈无关，虽然反馈可以产生极点，但是，并不是所有的极点都是反馈产生的。

极点从波特图上看两个作用：延时和降低增益，在反馈系统中作用就是降低反馈信号幅度以及反馈回去的时间，所以如果某个节点存在对地电容，必然会对电容充电，同时电容和前级输出电阻还存在分压，所以这个电容会产生极点！极点对OP放大器的增益是以－20 db/dec减小，相移是增加90度。

环路是否震荡，直接原因是环路的相位裕度是否>0。大于则系统稳定，小于０则系统震荡。

极点和环路没有关系，极点只是一个相位滞后，至于经常和环路被一起提到，是因为极点对环路的稳定性有决定性的影响。

其他人的经验

经验上来讲，放大器电路中高阻抗的节点都要注意，这点上即使电容很小，都会产生一个无法忽略的极点。零点一般就不那么直观了，通常如果两路out of phase的信号相交就会产生零点，但这不能解释所有的零点。

极点是由于结点和地之间有寄生电容造成的，零点是由于输入和输出之间有寄生电容造成的，一般输入和输出之间的零极点考虑多一点，主要是因为输入输出有较大的电阻，造成了极点偏向原点。

一般的说，零点用于增强增益（幅度及相位），极点用于减少增益（幅度及相位），电路中零点极点一般是电容倒数的函数（如1/C）。当C变大时，比如对极点来说，会向原点方向变化，造成增益减少加快（幅度及相位）～

一般运放电路的米勒效应电容就是这个原理，当增益迅速下降倒－3dB时，其他的零点极点都还没对系统增益起到啥作用（或作用很小，忽略了），电路就算OK了～你就可以根据自己的需要补上带宽，多少多大的裕度就KO了。

自激振荡的来源与抑制

自激振荡的根本原因在于放大器存在附加相移。在低频时，附加相移主要决定于输入电容、输出电容及发射极旁路电容；高频时，主要决定于极间电容和接线分布电容。

消除自激的指导思想是：希望极点数少些，极点频率拉开些，-20dB/dec段长些。

图4单级阻容耦合放大器的频率特性

放大器自激的判断

的波特图查看：当相移180时，若|AF|0）|1（即20lg|AF从AF，则电

|1时起振，振荡稳定后|AF|1。路不稳定，会产生自激，如图5(a)所示。|AF

|0）|1（即20lg|AF当相移180时，若|AF，则电路稳定，不会产生自激，如图5(b)所示。当然，还要考虑裕度。

图5负反馈放大器幅频特性和相频特性曲线用示波器或电平表检测：将宽频(或选频)电平表或示波器接于放大器的输出端，观察放大器无输入信号时，其输出是否有信号。

用自制振荡表头检查：表头的制造如图6所示，C1的取值由被测放大器的上限工作频率而定：上限工作频率为10MHz左右时，选10~20pF为宜；上限工作频率小于10MHz时，选20~30pF为宜；当上限工作频率高于10MHz时，选5~10pF。

C1300pF电流表

图6自制振荡表头原理图

用“表头”检查放大器稳定与否的方法：使“表头”的探针触碰放大器的某处（如输出级的集电极C），同时人为地刺激放大器的另一处(如第一级的基极b)使放大器起振；然后去除刺激，观察电流表的指示是否自动回零。如指示为零，则放大器是稳定的，若指示不为零，则放大器不稳定。

放大器自激振荡的抑制方法

低频振荡是由于各级放大电路共用一个存在较大内阻的直流电源引起的，消除方法是在放大电路各级之间加上“退耦电路”。这种正反馈的形成原因：如图7所示，若直流电源V1存在着较大的内阻r0，当Q1的输入信号瞬时极性为正时，各级输入电压极性如图中标记所示。Ic1和Ic3是相同的，它们流过r0时就会产生瞬时极性为上负下正的交流压降，该压降通过R1、C1及Q2的输入电阻反馈到第二级的输入端，显然此反馈信号与输入信号同相，故形成了寄生正反馈。

6R11-Q1+C12R23+Q2C24-5Q37V1R3r00

图7直流电源的内阻造成寄生正反馈

高频振荡主要是由于安装及布线不合理引起的．对此应从工艺方面着手，如元件布置紧凑、接线要短等；也可以在电路的合适部位找到抑制振荡的最灵敏点，在此处外接合适的电阻电容或单一电容，进行高频滤波。

消除的方法是在放大器中加入高频旁路电容，或加高频相校正网络，要求电容的数值比较小。以形成高频旁路或高频负反馈，对高频信号进行相移，从而破坏自激振荡的条件。

低频自激的抑制方法

低频振荡是由于各级放大电路共用一个直流电源引起的消除方法是在放大电路各级之间加上“退耦电路”，使前后级之间的影响减小。如图8所示，R3一般为几百欧，C1选几十微法或更大。

AR3BR5R4C2GND退藕电容C1R1退藕电阻R2+Q2ER0-Q1-+GNDGNDGND

图8退藕电路

高频校正方法一：利用电容元件

这是一种主极点校正的方法，这是一种采用米勒电容进行补偿的方法，如图9所示。在极点频率最低的一级接入校正电容C，使主极点频率降低，-20dB/dec段拉长，尽量获得单极点结构，以破坏幅度条件，使电路稳定。

|f中的最小转折频率变得更此补偿电容C的引入能使放大器的幅频特性20lg|AF小，这样，幅频特性高频段下降得更快，如图10中特性C所示。

图9放大器引入电容补偿元件消除高频自激

图10引入补偿元件后幅频特性的变化情况

高频校正方法二：利用R、C组成宽带补偿

也叫RC校正(极点—零点校正)，用RC串联网络代替电容C，这一方面使原来的主极

点降低，另一方面引入了一个新的零点，此零点与原来第二个极点抵消，使极点数减少，而且极点也拉开了。如图10中特性RC所示，这种补偿可获得较宽的通频带。其电路如图11所示。

图11采用RC元件消除高频自激

高频校正方法三：反馈电容校正

实际上，这里采用的是米勒补偿方法，如图12所示。如果将电容C并联在相应放大电路中管子的b-c极之间，形成该级的电压并联负反馈，这种校正方法可用较小的电容达到消振目的。这实际上是以附加高频负反馈来降低集成运放在高频段的增益，以使附加相移虽达180°而变成正反馈时，其回路增益被降至小于1。这样，即使放大器在谐波干扰下出现正反馈振荡，因回路增益过小，振荡无法维持，电路也就稳定了。

图12反馈电容消除高频自激

高频校正方法四：利用反馈电容C 进行超前补偿

前面三种方法均属于滞后补偿(校正)，而超前补偿的指导思想是设法将0dB点的相位向前移，破坏其相位条件。这种方法是在放大器反馈电阻中，并接适当容量的反馈电容C，如图13所示。利用反馈电容来校正波特图的曲线形状，使相频特性AFf在频率f0附近向上提升，使|AF|180，见图14所示，从而破坏产生自激振荡的相位条件，达到消除自激振荡的目的。

图13放大器中引入反馈电容进行超前补偿

电路的三级放大篇6

摘要：简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点，工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过实验验证了其可行性。

关键词：小信号放大器；双脉宽调制；悬浮驱动；高压大功率

引言

现有的很多小信号放大电路都是由晶体管或MOS管的放大电路构成，其功率有限，不能把电路的功率做得很大。随着现代逆变技术的逐步成熟，尤其是SPWM逆变技术，使信号波形能够很好地在输出端重现，并且可以做到高电压，大电流，大功率。SPWM技术的实现方法有两种，一种是采用模拟集成电路完成正弦调制波与三角波载波的比较，产生SPWM信号；另一种是采用数字方法。随着应用的深入和集成技术的发展，已商品化的专用集成电路（ASIC）和专用单片机（8X196/MC/MD/MH）以及DSP，可以使控制电路结构简化，集成度高。由于数字芯片一般价格比较高，所以在此采用模拟集成电路。主电路采用全桥逆变结构，SPWM波的产生采用UC3637双PWM控制芯片，并采用美国IR公司推出的高压浮动驱动集成模块IR2110，从而减小了装置的体积，降低了成本，提高了系统的可靠性。经本电路放大后，信号可达3kV，并保持了良好的.输出波形。

图1

1 UC3637的原理与基本功能

UC3637的原理框图如图1所示。其内部包含有一个三角波振荡器，误差放大器，两个PWM比较器，输出控制门，逐个脉冲限流比较器等。

UC3637可单电源或双电源工作，工作电压范围±（2.5～20）V，特别有利于双极性调制；双路PWM信号，图腾柱输出，供出或吸收电流能力100mA；逐个脉冲限流；内藏线性良好的恒幅三角波振荡器；欠压封锁；有温度补偿；2.5V阈值控制。

UC3637最具特色的是三角波振荡器，三角波产生电路如图2所示。三角波参数按式（1）及式（2）计算。

Is=[（+VTH）-（-Vs）]/RT （1）

f=Is/{2CT[(+VTH)-(-VTH)]} （2）

式中：VTH为三角波峰值的转折（阈值）电压；

Vs为电源电压；

RT为定时电阻；

CT为定时电容；

Is为恒流充电电流；

f为振荡频率。C3637具有一个高速、带宽为1MHz、输出低阻抗的误差放大器，既可以作为一般的快速运放，亦可作为反馈补偿运放。UC3637实现其主要功能的就是两个

Protues对放大电路的仿真篇7

关键词：Protues,放大电路,仿真操作

Proteus软件具有强大的调试功能和软硬件相结合的仿真系统, 多用来调试单片机程序和仿真单片机外围器件的工作情况, 一般情况下该仿真软件学习和单片机课程是同时开设的, 同学们往往因为对软件不熟悉, 而仿真不出应有的效果, 学习积极性受到挫折。为了使同学们提前熟悉Proteus软件的环境, 我们在电子技术部分就开始使用该软件进行仿真, 为今后单片机电路仿真做好准备。

1 原理图的绘制

1) 新建一个设计

选择工具栏里的“”按钮, 然后单击“文件”选择“文件另存为”, 在弹出的对话框中选择一个路径, 并在文件名框输入“单管共射放大电路”, 再单击保存即完成一个电路设计。

2) 元件的选取

首先选择“器件和仪器工具栏”的“”图标如图1所示, 然后单击“”按钮, 弹出“Pick Devices”窗口如图2所示。这时我们可以在关键词中输入要选择的元件的类型名称, 在结果中就可以看到想要的相应类型元件, 根据电路所需的具体型号在结果中双击该元件, 即可将该元件添加到“DEVICE”栏目下。有些元件名称我们不熟悉, 可以参考Protues的元件库中英文对照表来进行选择。对于电源和地, 需要左键单击“”按钮, 这时在左侧元件列表中就会看到电源“POWER”和地线“GROUND”可供选取。正弦交流信号的选取, 左键单击:“”, 然后从元件列表中选择“SINE”即可。

3) 元件的放置

isis操作页面的中右侧是搭建硬件电路系统原理图和显示系统运行状态的区域。点击已选好的“元件列表”中的元件, 在工作区的任意位置点击左键就可将该元件放入工作区内, 注意元件之间要留出一定距离, 以方便连线。

4) 元件的编辑

有些元件在放置完成后, 由于元件方向或位置需要调整, 这时需要按下工具栏中的“”按钮, 在绘图区选中 (单击或框选) 需要编辑的元件, 对其进行移动、旋转或复制操作。

5) 元件参数的修改

对于电阻、电容、二极管等元件, 需要修改其名称或数值, 双击要修改参数的元件, 弹出元件参数设置对话框, 可以修改元件名称和参数值, 以电阻元件为例, 如图3所示, 可以修改其元件名称和阻值。

6) 连线:按下工具栏中的“”按钮, 此时鼠标变成铅笔状, 将鼠标移至连线起点元件的引脚处单击, 拉动鼠标, 在终点另一个元件引脚处单击即可完成连线操作, 连接好的电路图如图4所示[1]。

2 电路的仿真

在绘制好的电路图中单击运行按钮“”即可仿真电路运行, 为了方便观察电路的电压和波形图, 我们在电路中使用电压探针 (Voltage probe) 检测直流电压, 用示波器观察输入、输出电压波形, 电路连接如图5所示。

首先, 调试静态工作点, 断开交流电源, 将电位器电阻调至最大, 按下运行按钮, 调整电位器电阻, 使放大电路工作在合适的静态工作点。然后将交流信号接入电路, 调整交流信号源幅值为10m V, 频率为1000Hz, 通过PROTEUS提供的虚拟示波器 (Oscilloscope) 观察A通道放电路输出的波形和B通道输入信号的输入波形, 如图6所示, 通过示波器我们可以看到输入波形和输出波形反相, 输出波形的峰峰值为400 m V, 可以计算出放大电路的放大倍数约为200, 调整输入信号的大小, 观察饱和失真和截止失真的波形图。

通过Proteus软件平台对单管共射放大电路的详尽的仿真分析, 调动了初学者的学习兴趣、和积极性, 为今后单片机的仿真分析打下了基础, 同时, Proteus软件对于模拟电子技术的教学演示和实际设计都具有很大的辅助作用[2]。

参考文献

[1]李生明, 杨红.PR OTUES软件在学习单片机中的应用[J].清远职业技术学院学报, 2010 (6) .

电路的三级放大篇8

【关键词】翻转课堂教学设计教学策略

【基金项目】无锡市陶研会2015年度立项课题“翻转课堂在电子专业课程中的应用研究”（项目编号：2015-12-16）。

【中图分类号】TM774 【文献标识码】A 【文章编号】2095-3089（2016）06-0069-01

本文基于翻转课堂学习理念以《电子技术》课程中的一个章节《功率放大电路的设计与制作》为例进行教学设计。

一、教学内容分析

电子技术课程是电子专业系列课程的一门专业基础课，具有自身的专业性和很强的实践性。

1.所授内容在整门课程中的地位和作用：本单元教学内容是本课程的一个重要知识点，是对放大电路知识进一步的延伸和拓展。

2.所授内容中重点和难点的分析：重点是功放的特点及主要技术指标，OCL电路特点及工作原理，甲乙类OTL功放电路结构与原理。难点是OCL电路工作原理及甲乙类OTL功放的电路调试。

二、教学目标设计

1.知识和技能目标：了解功率放大器和电压放大器的区别，掌握功率放大器的特点，理解OCL功率放大电路的组成、工作原理及效率的估算，掌握甲乙类OTL功放静态工作点的调节方法和中点电位的调节方法。

2.过程和方法：初步学会采用互联网学习、自主学习、合作学习的方法来学习，通过合作学会使用仿真软件对电路进行仿真，通过电路制作能识别与检测元器件，正确安装电路。

3.情感态度和价值观：体验自主学习、合作学习的乐趣，体会电子专业知识与生活的紧密联系，培养安全操作的意识，养成规范的操作习惯。

三、学生情况分析

学生在学习本教学内容的难易程度上为中等偏难，其主要原因是由于学生的入学成绩较低，逻辑思维能力较差，与此同时，电子技术课它的涉及面非常广，基本概念、基本原理、分析方法比较多，因此学生在学习中，总是觉得很吃力，致使学生学习热情不高，教学质量不理想。学生虽已接触了一些电子专业的基础知识，但基础相当薄弱，且学生的学习习惯也不够理想，没有较好的学习基础，对学生的学习有着比较大的影响。

四、教学策略、教学过程和教学资源设计

1.教学环境设计：电子实验室、多媒体、万用表、焊接工具、功放电路套件、导线等。

2.教学策略设计：在教学中以课前准备明确要求——观看视频自主学习——合作交流收集资料——课内相关知识学习——任务实践师生互动——释疑解惑点评分析——课后练习巩固新知为主线，综合的运用多种教学方式来充分调动学生学习的主动性和积极性，体现其主体地位，通过互联网学习，使学生学习更具开放性和主动性。由于学生学习能力较弱，且对于图解分析法掌握得很差，所以对于学生较难理解的内容，我做了处理：一笔带过。而是重点强调电路的结构和工作原理，并通过仿真软件讲解交越失真。

3.教学过程设计：首先，教师向学生发送上课要求，包括上课课题、时间、地点、需要准备的知识、学习工具等。同时学生进行分组，每4人为1小组，并选取一人作为组长，学生通过视频自主学习，解决教师提出的问题。搜索关于功率放大器的实际应用例子，并把相关资料以小组为单位上传给教师。

其次，创设情境质疑引新。先通过投影仪投影展示预习结果，并进行新课预习评价，表扬优秀的学习小组。接着以两段实验视频（视频一：MP3输出的音频信号直接给扬声器；视频二：MP3输出的音频信号先输入到功率放大器的输入端，再把功率放大器的输出信号给扬声器）来引入新课。

再次，讲授新课提出问题解决问题。以提问、练习贯穿全程，结合讲授法和启发式教学法，让学生通过自主学习、合作学习、探究学习的方法在回答问题的过程中掌握新知识。例如：教师演示功率放大和电压放大两个实验，让学生比较它们的输出功率。根据甲类功放的功能及性能指标提问：如何提高其性能指标？学生通过电路仿真验证甲乙类功放能消除交越失真等。

第四，使用焊接工具制作OTL甲乙类互补对称功率放大电路。采用任务驱动和项目式教学的方法，学生按小组以团队方式进行制作，教师在旁指导，通过制作，提高了学生的动手操作能力，并通过实践分析、验证相关知识，化解了难点，也提高了学生的学习积极性。

最后，布置作业，让学生通过课后作业进一步巩固所学知识。

五、教学反思

本节课探究答疑贯穿始终，自主探究与合作学习相配合，观察与动手操作兼容并重，充分体现了学生的主体地位。采用翻转课堂教学模式，学生在课前的视频学习中，就可以自主学习，遇到困难，可以跟同学进行合作交流，既培养了学生的自学能力，又激发了团队合作精神。这样，在课堂上就会节约出大量的时间进行师生互动、生生互动，共同探索学习中的疑点和难点，提高教学效率。在教学过程中开展了互学、互练、互查、互评活动，使学生在检查对方的过程中学会检查自己，在评价对方的过程中学会评价自己。另外，通过多媒体课件的演示和动手制作功放电路把抽象的知识形象化，突破了重难点，学生们亲身体验并测量了信号，能更好地理解功放的特点。但是如果多媒体在这节课中师生交互性方面的功能再强一点会更好。还有在教学中也出现个别学生不愿参与教学活动，对活动缺乏兴趣的情况，还需要进一步做好思想教育工作。

总之，翻转课堂教学模式是一种在计算机技术广泛普及的社会形势下而产生的与时俱进的教学模式。翻转课堂是一种手段，增加了学生和教师之间的互动和个性化的学习时间；是让学生对自己学习负责的环境；是为了让教师成为学生身边的“教练”而不是在讲台上的“圣人”；是混合了直接讲解与建构主义的学习；是学生虽课堂缺席但不被甩在后面的学习；是课堂的内容得以永久存档，可用于复习或补课的学习；是所有的学生都积极学习的课堂；更是让所有学生都能得到个性化教育的学习。[2]当然这种教学模式对学生的自主学习习惯提出了更高的要求，但它作为传统教学的有效补充，翻转课堂教学模式更有利于培养学生的合作精神和自主学习能力，使学生终身受益。

参考文献：

[1]张金磊，王颖，张宝辉.翻转课堂教学模式研究[J].远程教育杂志，2012，（4）：46-51.

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