芯片（共9篇）
2010-11-27 14:46
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TDA1521/TDA1514A
TDA1521/TDA1514A是荷兰飞利浦公司专门为数字音响在播放时的低掉真度及高稳度而设计推出的两款芯片。所以用来接驳CD机直接输出的音质出格好。此中的参数为：TDA1521在电压为±16V、阻抗为8Ω时，输出功率为2×15W，此时的掉真仅为0.5％。TDA1514A的工作电压为±9V~±30V,在电压为±25V、RL=8Ω时，输出功率达到50 W，总谐波掉真为0.08％。输入阻抗20KΩ, 输入灵敏度600mV,信嘈比达到85dB。其电路设有等待、静嘈状态，具有过热庇护，低掉调电压高纹波按捺，而且热阻极低，具有极佳的高频解析力和低频力度。其音色通透纯正，低音力度丰满厚实，高音清亮明快，很有电子管的韵味。以上两款功放的外围零件都比力少，是“傻瓜”型的功放芯片，非常适合初级发烧友组装，只要按照电路图，不需调试就可获得很好的效果。由于该芯片的输入电平比力低，我们在制作是不需前置放大器，只要直接接到我们的电脑声卡、光驱、随身听上即可。著名的电脑多媒体音箱安步者也是采用这两种芯片。
LM3886
LM38863TF是美国NS公司（美国国家半导体公司）于90年代初推出的一款大功率音频功放芯片。该芯片的主要参数：工作电压为±9V~±40V(保举±25V~±35V)RL=8Ω时的持续输出功率达到68W（峰值135 W）。如果接成BLT时的输出功率可以达到100W，而它的掉真小于0.03％，其内部设计有非常完善的过耗庇护电路。本人也在使用使芯片，它的音色非常甜美，音质醇厚，颇有电子管的韵味，适合播放比力柔和的音乐。NS公司还有LM1875、LM1876、LM4766等大师都熟悉的芯片，此中LM4766是最新的，为双声道设计，内含过压、欠压、过载、超温等庇护电路。其输出功率不小于2×40W.低音深沉而有弹性，颇具胆机的风格。
TDA7294
TDA7294是欧洲著名的SGS-THOMSON意法微电子公司于90年代向中国大陆摧出的一款颇有新意的DMOS大功率的集成功放电路。它一扫以往线性集成功放和厚膜集成的生、冷、硬的音色，广泛应用于HI-FI规模：如家庭影院、有源音箱等。该芯片的设计以音色为重点，兼有双极信号措置电路和功率MOS的长处。具有耐高压、低噪音、低掉真度、重放音色极具亲和力等特色；短路电流及过热庇护功能使其性能更完善。TDA7294的主要参数：Vs(电源电压)=±10~±40V;Io(输出电流峰值)为10安培；Po（RMS持续输出功率）在Vs=±35V、8Ω时为70W，Vs=±27V、4Ω时为70W；音乐功率（有效值）Vs=±38V、8Ω时为100W,Vs=±29V、4Ω时为100W。总谐波掉真极低，仅为0.005％。此外，SGS-THOMSON意法微电子公司还有几种代表作的功放芯片，如：TDA7295 TDA7296 TDA7264、TDA2030A(我们常用的麦蓝低音炮就是采用此芯片)等。
LM4610N
LM4610是美国国家半导体公司的高品质直流控制音响电路。它是一块操纵直流电压控制调子、音量和声道平衡的立体声集成电路，而且具有3D音场措置、等响度抵偿功能。该电路控制光滑流畅，音质自然流畅，高频清晰、解析力佳，其发生的3D环绕声场具有很强的三维空间感和包抄感，主不雅观感受与SRS的效果类似。LM4610N的主要电气参数如下：具有3 D声场措置功能和响度抵偿功能。响度抵偿是针对人耳在音量较小时对凹
凸频信号的灵敏度下降，因而在分歧音量时对高、低频端作适度的提升抵偿，使人耳在任何响度下始终听到平坦、均衡的响应。它的电压规模是：9V~16V(典型为12伏，电流为35毫安)；掉真度仅0.03％；信嘈比高达80dB；频宽达250 kHz,音量调节为75dB;平衡调节为1~20dB；调子调节规模为±15dB；最大增益2dB；LM4610N具有输入阻抗高（30Ω），输出电阻低（２０Ω）的长处。用LM6410N调子控制电路对提高音质和加强低频力度及三维空间感感化突出。可以说LM4610N是组装功放系统或替换调音部门的精品。
BBE技术
BBE是一种声音增强和改善的专利技术。它的全称是Barcus-BerryElectronice,是美国BBE.sound公司于1985年开始就推出市场的新技术。一呈现就得到广泛的应用，好比国外的松下、索尼，国内的TCL、创维、乐华等新一代彩电。在灌音和唱片上也纷纷操纵BBE技术，而一些广播电台如加拿大的广播公司、瑞士国际广播、韩国广播及日本的NHK当局开通的广播电视系统，都应用了这种技术。高解析力BBE电路XR1075 XR1075是美国XEAR公司最新推出的高解析力 BBE芯片。是在XR1071的根本上，采用新的双极性技术，使其芯片的噪声系数更低、总谐波掉真更小，而芯片的体积更小，外围元件进一步简化，凹凸频延伸、高频解析力增强调节规模和低频抵偿规模均比XR1071更宽。高频调节规模-0.5~+13 db,低频抵偿调节规模-0.5~+13db.数码超重低音措置器M51134P M51134P
是日本三菱公司专门为AV影音系统开发的专用超低音检测加强电路。其内部包罗：频率检测、调整器、电平检测、低通滤波VCA压控放大等。道理是采用数码滤波方式检测输入信号中的低频成分的电平的凹凸，加强相应低频成分并进行低频动态扩展（又压控放大器完成），其道理与一般的低通滤波器形式的重低音加强电路分歧。M51134P供给的重低音效果有强烈的震撼感，出格是雷声、炮声、爆炸声等尤为突出。M51134P只是检测低于120Hz的信号，如果输入信号中没有低于120Hz的成分，则没有输出。
最新尺度虚拟杜比环绕声芯片QS7779/QS7785
QS7779/QS7785是加拿大Qsound音频尝试室推出的单片虚拟化环绕音效措置电路，是目前业界公认的措置效果最接近自然原声的虚拟杜比环绕芯片！QS7779为2入2出方式，QS7785为2入5出，两者内部都包罗了杜比定向逻辑和DVD(AC-3)混合信号解码器，使用Qsound尝试室的专利Qsurround虚拟环绕技术，并由Qsound尝试室授权使用，该芯片的主要功能是：（1）如果输入的是普通的立体声信号，则进行立体声效果增强：（2）如果输入的是2声道的矩阵编码信号（杜比定向逻辑或混合AC-3信号）则先将其解码，再虚拟化合成2声道或5声道输出。QS7779主要特点： 1.内带杜比定向逻辑和 DVD(AC-3)混合信号解码输器，使用2只扬声器实现虚拟化环绕声。2.信噪比11db, 动态规模
110db.QS7785主要特点： 1.内带杜比定向逻辑和 DVD(AC-3)混合信号解码输器，解出的环绕信号为2声道全频带，和AC-3环绕声不异，优于杜比定向逻辑系统。2.前方采用3 D立体声增强技术，后方采用3D合成虚拟环绕技术，分两种增强方式（低增强和高增强），具有中置输出及低音增强功能。3.使用5声道实现环绕声，也可用2声道输出方式。4..信噪比11db, 动态规模110db
运放(运算放大器)我们常见或常用到有:4558(比力便宜一般用于一些随身听)。
NE5532曾经被誉为运算放大器之皇。AD712K.AD827(非常不错的运放在市面上很难买到正货,传闻定货也要等三个月。市面价大约100元每块).以上的都是双运放,还有四运放如:TL084.LT058 等等.TDA1521/TDA1514A是荷兰飞利浦公司专门为数字音响在播放时的低掉真度及高稳度而设计推出的两款芯片。所以用来接驳CD机直接输出的音质出格好。此中的参数为：
TDA1521在电压为±16V、阻抗为8Ω时，输出功率为2×15W，此时的掉真仅为0.5％。TDA1514A的工作电压为±9V~±30V,在电压为±25V、RL=8Ω时，输出功率达到50 W，总谐波掉真为0.08％。输入阻抗20KΩ, 输入灵敏度600mV,信嘈比达到85dB。其电路设有等待、静嘈状态，具有过热庇护，低掉调电压高纹波按捺，而且热阻极低，具有极佳的高频解析力和低频力度。其音色通透纯正，低音力度丰满厚实，高音清亮明快，很有电子管的韵味。以上两款功放的外围零件都比力少，是“傻瓜”型的功放芯片，非常适合初级发烧友组装，只要按照电路图，不需调试就可获得很好的效果。由于该芯片的输入电平比力低，我们在制作是不需前置放大器，只要直接接到我们的电脑声卡、光驱、随身听上即可。著名的电脑多媒体音箱安步者也是采用这两种芯片。
LM3886
LM38863TF是美国NS公司（美国国家半导体公司）于90年代初推出的一款大功率音频功放芯片。该芯片的主要参数：工作电压为±9V~±40V(保举±25V~±35V)RL=8Ω时的持续输出功率达到68W（峰值135 W）。如果接成BLT时的输出功率可以达到100W，而它的掉真小于0.03％，其内部设计有非常完善的过耗庇护电路。本人也在使用使芯片，它的音色非常甜美，音质醇厚，颇有电子管的韵味，适合播放比力柔和的音乐。NS公司还有LM1875、LM1876、LM4766等大师都熟悉的芯片，此中LM4766是最新的，为双声道设计，内含过压、欠压、过载、超温等庇护电路。其输出功率不小于2×40W.低音深沉而有弹性，颇具胆机的风格。
TDA729
4TDA7294是欧洲著名的SGS-THOMSON意法微电子公司于90年代向中国大陆摧出的一款颇有新意的DMOS大功率的集成功放电路。它一扫以往线性集成功放和厚膜集成的生、冷、硬的音色，广泛应用于HI-FI规模：如家庭影院、有源音箱等。该芯片的设计以音色为重点，兼有双极信号措置电路和功率MOS的长处。具有耐高压、低噪音、低掉真度、重放音色极具亲和力等特色；短路电流及过热庇护功能使其性能更完善。TDA7294的主要参数：Vs(电源电压)=±10~±40V;Io(输出电流峰值)为10安培；Po（RMS持续输出功率）在Vs=±35V、8Ω时为70W，Vs=±27V、4Ω时为70W；音乐功率（有效值）Vs=±38V、8Ω时为100W,Vs=±29V、4Ω时为100W。总谐波掉真极低，仅为0.005％。此外，SGS-THOMSON意法微电子公司还有几种代表作的功放芯片，如：TDA7295 TDA7296 TDA7264、TDA2030A(我们常用的麦蓝低音炮就是采用此芯片)等。
LM4610NLM4610是美国国家半导体公司的高品质直流控制音响电路。它是一块操纵直流电压控制调子、音量和声道平衡的立体声集成电路，而且具有3D音场措置、等响度抵偿功能。该电路控制光滑流畅，音质自然流畅，高频清晰、解析力佳，其发生的3D环绕声场具有很强的三维空间感和包抄感，主不雅观感受与SRS的效果类似。LM4610N的主要电气参数如下：具有3 D声场措置功能和响度抵偿功能。响度抵偿是针对人耳在音量
较小时对凹凸频信号的灵敏度下降，因而在分歧音量时对高、低频端作适度的提升抵偿，使人耳在任何响度下始终听到平坦、均衡的响应。它的电压规模是：9V~16V(典型为12伏，电流为35毫安)；掉真度仅0.03％；信嘈比高达80dB；频宽达250 kHz,音量调节为75dB;平衡调节为1~20dB；调子调节规模为±15dB；最大增益2dB；LM4610N具有输入阻抗高（30Ω），输出电阻低（２０Ω）的长处。用LM6410N调子控制电路对提高音质和加强低频力度及三维空间感感化突出。可以说LM4610N是组装功放系统或替换调音部门的精品。
BBE技术
BBE是一种声音增强和改善的专利技术。它的全称是Barcus-BerryElectronice,是美国BBE.sound公司于1985年开始就推出市场的新技术。一呈现就得到广泛的应用，好比国外的松下、索尼，国内的TCL、创维、乐华等新一代彩电。在灌音和唱片上也纷纷操纵BBE技术，而一些广播电台如加拿大的广播公司、瑞士国际广播、韩国广播及日本的NHK当局开通的广播电视系统，都应用了这种技术。高解析力BBE电路XR1075 XR1075是美国XEAR公司最新推出的高解析力 BBE芯片。是在XR1071的根本上，采用新的双极性技术，使其芯片的噪声系数更低、总谐波掉真更小，而芯片的体积更小，外围元件进一步简化，凹凸频延伸、高频解析力增强调节规模和低频抵偿规模均比XR1071更宽。高频调节规模-0.5~+13 db,低频抵偿调节规模-0.5~+13db.数码超重低音措置器M51134P M51134P
是日本三菱公司专门为AV影音系统开发的专用超低音检测加强电路。其内部包罗：频率检测、调整器、电平检测、低通滤波VCA压控放大等。道理是采用数码滤波方式检测输入信号中的低频 成分的电平的凹凸，加强相应低频成分并进行低频动态扩展（又压控放大器完成），其道理与一般的低通滤波器形式的重低音加强电路分歧。M51134P供给的重低音效果有强烈的震撼感，出格是雷声、炮声、爆炸声等尤为突出。M51134P只是检测低于120Hz的信号，如果输入信号中没有低于120Hz的成分，则没有输出。
最新尺度虚拟杜比环绕声芯片QS7779/QS778
5QS7779/QS7785是加拿大Qsound音频尝试室推出的单片虚拟化环绕音效措置电路，是目前业界公认的措置效果最接近自然原声的虚拟杜比环绕芯片！QS7779为2入2出方式，QS7785为2入5出，两者内部都包罗了杜比定向逻辑和DVD(AC-3)混合信号解码器，使用Qsound尝试室的专利Qsurround虚拟环绕技术，并由Qsound尝试室授权使用，该芯片的主要功能是：（1）如果输入的是普通的立体声信号，则进行立体声效果增强：（2）如果输入的是2声道的矩阵编码信号（杜比定向逻辑或混合AC-3信号）则先将其解码，再虚拟化合成2声道或5声道输出。QS7779主要特点： 1.内带杜比定向逻辑和 DVD(AC-3)混合信号解码输器，使用2只扬声器实现虚拟化环绕声。2.信噪比11db, 动态规模
110db.QS7785主要特点： 1.内带杜比定向逻辑和 DVD(AC-3)混合信号解码输器，解出的环绕信号为2声道全频带，和AC-3环绕声不异，优于杜比定向逻辑系统。2.前方采用3 D立体声增强技术，后方采用3D合成虚拟环绕技术，分两种增强方式（低增强和高增
强），具有中置输出及低音增强功能。3.使用5声道实现环绕声，也可用2声道输出方式。4..信噪比11db, 动态规模110db
运放(运算放大器)我们常见或常用到有:4558(比力便宜一般用于一些随身听)。
NE5532曾经被誉为运算放大器之皇。AD712K.AD827(非常不错的运放在市面上很难买到正货,传闻定货也要等三个月。市面价大约100元每块).以上的都是双运放,还有四运放如:TL084.LT058 等等.在音响中，功放是担任『讯号放大』的功能，由于他不做换能工作，因此就电器设计理论而言，功放不需要高深的技术，而且他的制造出产设备可以最简单，测试调校仪器的需求也是最普通。当然，设计是一回事，制造又是一回事，音色的好坏又是一回事。有些厂商把机器制做的很复杂，代价卖的很贵,音色自然也不错;而有些厂商把机器做的非常小,内部也很单,代价卖的很公共化，音色也不差。在这种情况下，身为消费者要如何来选购功放？可以有以下的建议：一个是驱动能力(即功率多少)，另一个是主动原件(便是胆机还是晶体管机)。功放可大致区分为几大派系,首先我们先来讲讲英国派:这个地域，由于国情保守，所以所设计的功放输出功率都不高，出格是归并功放(integrate damplifier)这是英国厂家最拿手的杰作，其输出功率一般都不会超过70W X 2以上。而美国功放则完全是「地大物博」的表示，200W X 2仅是尺度数值.这种分袂相当显然，相信您到音响店看一看就可以很快发现这样的情况。而输出功率和驱动能力之间则是十分微妙的.讲到「输出功率」的凹凸与「驱动能力」的强弱，两者固然没有绝对的关系，但却有相对的联系。输出功率很容易从数字显示，50W，100W，200W甚至更多，但是驱动能力的辨识就得依靠慧眼，甚至得真正试过才知道了。后级「功率」功放的驱动对象是喇叭，驱动能力越强，也就暗示越能压得住喇叭。当然您会问，什么样的喇叭很难推？我的观点是:低效率的(86db以下的),低阻抗的(4欧或以下的),静电式和铝带式等等，都是很考你所选择的功放的。而功放的驱动能力则完全表此刻电流的供给上，电压X电流，就是真正的「功率」.如果有一部功放，其功率标称是100W X 2（8Ω），200W X 2（4Ω），400W X 2（2Ω），我们凡是称他是「大电流」设计，这种功放的驱动能力就会比力强，但是环顾您四周的使用者，能达到「功率倍增」的功放，往往都是MADE IN U.S.A.；而英国或是日本的产物，在这一方面就显的比力弱一些。因为大电流功放设计并不容易，输出级，电源供应部，都要非常讲究，故大电流功放在机体上都不容易迷你小巧，英国归并功放在功率,体型上固然比不上美国产物，但是因为走的路线分歧，当在斗室间驱动喇叭时,他们的表示，也有令人称道之处。而日产功放虽在Hi-end市场上一直无法安身。初入门者却往往会考虑采办日产功放。这是因为日本厂商也有它的绝活，出格是带DOLBY PROLOGIC, AC-3, THX,DTS的AV环绕功放，在AV的规模,百分之九十以上都是MADE IN JAPAN。所以各国各派都是各走各的LM1875最常用的功放芯片之一，为单声道设计，不仅具有音质醇厚功率大的长处，还具
有完整的庇护电路，在同类型芯片中属于高档型号...功放芯片就好象是多媒体音箱的“心脏”，是为音箱供给动力的部件，也是关系到音质的重要环节之一，所以很多伴侣都想一探究竟，以下为小编搜集来的常见多媒体音箱功放芯片资料（国半篇），但愿能给大师一点参考价值。
1，LM1875
LM1875最常用的功放芯片之一，为单声道设计，不仅具有音质醇厚功率大的长处，还具有完整的庇护电路，在同类型芯片中属于高档型号，好比说老版的惠威D1080就使用了这个芯片。可惜的是这款芯片已经公布颁发停产（传说风闻），众多使用LM1875的音箱型号也纷纷升级，使用了代换芯片。
此外DIY的伴侣，采办零件时要注意，由于LM1875单价较高，所以仿冒者很多，分袂起来也比力困难，这方面常识以后将单独撰文说明。
2，LM3886
LM3886同样是单声道设计，共有11个引脚，相对LM1875来说，LM3886具有更大的功率，更宽的动态，在其它参数上也有优势，所以只有最高端多媒体音箱才会采用LM3886做为功放芯片，此外甚至在HI-FI功放里面也经常见到它的身影，可见LM3886本质的优秀。
3，LM1876
LM1876在多媒体音箱中使用并不多，但也是国半的经典功放芯片之一，它的音色表示和LM1875如出一辙，但是为双声道设计，同时功率也要大一点，很适合DIY。4，LM4766
网上凡是的说法是，LM4766等于将两个LM3886封装在一起，这样说是比力形象的，从性能参数来看，LM4766刚好和LM3886相当，甚至音色表示也如出一辙。不外DIY的伴侣要注意了，LM4766引脚较多，具有“蜈蚣芯片”的“美称”，在业余情况的焊接下，具有必然的难度。
好了，常见多媒体音箱功放芯片资料（国半篇）就介绍到这里，请关注我们近期的：常见多媒体音箱功放芯片资料（意法[ST]篇）。
尝试10.TDA7294 发烧级功放制作
TDA7294是欧洲著名的SGS-THOMSON意法微电子公司于90年代向中国大陆推出的一款颇有新意的场效应大功率的集成功放电路。它一扫以往线性集成功放和厚膜集成的生、冷、硬的音色，颇具电子管功放韵味，并广泛应用于HI-FI规模：如家庭影院、有源音箱等。迄今为止，可以说它是目前世界上为数不多的最好的功放集成电路之一。
该芯片的设计以音色为重点，兼有双极信号措置电路和功率MOS的长处。具有耐高压、低噪音、低掉真度、重放音色极具亲和力等特色；而且具有静音待机功能，短路电流及过热庇护功能使其性能更完善，有关电器参数如下。
工作电压规模：（VCC+VEE）=80V
输出功率：高达100W
目前的单层电路卡, 逻辑与存储芯片分隔在不同区, 通过电线连接。就像城市街道, 由于数据在逻辑区和存储区来来回回地传输, 常会产生拥堵。而多层的逻辑芯片和存储芯片形成一种“摩天大楼”式的芯片, 数据通过纳米 “电梯”实现立体传输, 避免了拥堵。
几十年来,“更小、更快、更便宜”已成为推动电子设备 发展的魔 咒。“多层 ”芯片的 提出又给 它增加了 第四个———更高。这种新方案能在存储层上叠加逻辑层, 紧密且互相连接, 通过数千个纳米级的电子“电梯”在各层之间运输数据, 将比目前单层逻辑芯片和存储芯片间的连线速度更快, 耗电更少。
这项创新研究取得了三项突破: 第一是制造晶体管的新技术, 晶体管是微小的门, 通过开关电流来代表1和0; 第二是新型的计算机存储器, 具有多层结构; 第三是把制造逻辑门和存储器的新技术整合在一起, 成为多层结构的 新技术 ,这与以往的堆叠芯片完全不同。
这项研究还在早期阶段, 但设计和制造技术是可升级的,随着今后的发展, 这种结构将会使计算机性能大大提高, 超过现有任何计算机。”
这种芯片的原型已在去年的国际电子器件大会 (IEDM)上展出过, 显示了怎样把逻辑和存储芯片结合到一种能大规模生产的三维结构上。可以说, 这改变了芯片的范式。有了这种新结构, 电子制造业会把你手中的计算机变成强大的超级计算机。”
工程师几十年前就已造出了硅芯片。但无论手机还是平板电脑都会发热, 放出热量的大小也能显示其内部问题。即使把它们关上, 有时也会有电从硅晶体管中泄露。用户会感觉到热, 对系统本身来说, 这种泄露也会耗尽电池, 浪费电力。研究 人员正致 力于解决 这一难题 , 比如用碳 纳米管(CNT) 晶体管。
碳纳米管非常纤细, 20亿根才有一根头发粗细, 所以漏电要比硅少得多。用以往的生产碳纳米管的标准工艺, 造出的纳米管密度不够致密。研究小组攻克了这一难题, 开发出一种灵活的技术, 能把足够多的碳纳米管打包在足够小的面积里, 以制造有用的芯片。先在圆形石英晶片上用标准方法生产碳纳米管, 然后增加厚度到一定量, 再用黏合法把整个碳纳米管层从石英介质上剥离, 放到硅晶片上。这种硅晶片就是他们多层芯片的基础。
研究人员先要制造密度足够大的碳纳米管层, 才能制造出高性能的逻辑设备。他们按这种工艺重复13次, 在石英晶片上生长了一大堆碳纳米管, 然后用转移技术剥离, 把它们沉淀在硅晶片上。用这种简捷的技术来固定, 他们造出了一些迄今密度最高、性能最高的碳纳米管。他们还证明了, 在制造多层芯片时, 能在超过一个逻辑层上实施这种技术。
这种新型存储器与目前的存储器完全不同, 不是以硅为基础, 而是用氮化钛、二氧化铪和铂, 构成一种金属—氧化物—金属的夹层结构, 从一个方向通电会产生电阻, 而反向通电则能导电。从电阻到导电状态的改变, 就是这种新存储技术形成数字0和1的方式, 所以它的名字就叫做电阻式随机存取存储器或RRAM。
RRAM比目前的存储器耗电更少 , 在移动设备上使用能延长电池寿命。这种新的存储技术也是制造多层芯片的关键,因为RRAM能以比硅存储器更低的温度制造。
通过层层拆解后，我们终于看到了途鸽WiFi产品的主板构造，其与很多3G网络的产品一样，采用了双卡槽的设计，实体卡部分暴露在外，方便用户使用自己的sim卡。种子卡部分隐藏在外壳下面，并采用自带的sim卡进行上网，这感觉与途鸽宣称的模拟sim卡有所出入。
在主板芯片部分可以看到，其主板上的全部芯片都采用了金属板覆盖，一般用户并不能看清楚芯片的型号与构造。与我们常见的手机等电子产品不一样，有拆解维修过手机的用户都应该知道，拆开手机外壳后，主板大部分的芯片都可以直接在上面看到型号，感觉途鸽是有心掩盖芯片部分。不过这并不能阻止我们查明产品的真相，我们寻找专业人士帮忙进行拆解。
2013年推出的MT6572A芯片！不支持目前的4G网络制式
通过拆除焊接在芯片上的金属板后，我们可以清晰地看到途鸽WiFi产品的所有芯片型号。其采用的是MT6572A芯片，是2013年推出的产品，主要面向千元以下的智能手机市场。MT6572A属于单核心1Ghz晶片升级版，由单核心升级到双核心，制程采用28纳米，同时推出了WCDMA、EDGE和TD等3种版本，不过并不支持目前的4G网络制式。
而途鸽所使用的双Modem模式，主副modem均采用MT6572A平台，均支持GSM+WCDMA 1、2、5、8 四个频段，没有分集天线，并不是宣传的4G网络。简单来说，MT6572A就是3G时代用的处理器以及网络技术，并不支持4G网络。
发布时间：2011-7-21 10:56:45 焊接心得作为一名电子工程师，如果不会拿烙铁焊接，真的说不过去。而现在很多年青的工程师（也包括阿南）确确实实在忽略这方面动手能力的培养或很少有机会自己焊接板子，心里只想着学ARM，学Linux，而换个电阻、电容有时都要找焊接工人，更不用提TSOP等密集型的贴片IC了。所以在此阿南希望我们大伙都重视这些基础方便的训练，自己能焊的尽量自己焊，学着焊，如果有条件可以多请教那些焊接工人，他们都会有自己的技巧和心得。
练习焊接和学游泳一样，就要亲自去练习，反复的焊，焊多了就会有手感，就能掌握好烙铁的力度，板上的焊锡就会跟着你的烙铁走。插件器件比较好焊些，而帖片0603的电阻、电容由于比较小，如果您焊接不是很熟练，可以先在焊盘上点一些锡，然后左手用镊子夹住元件放在焊盘上，右手拿烙铁将焊盘上的锡熔化固定住元件（可以用同种方法将大部的元件固定完），左手再拿焊锡丝将元件的剩余焊盘焊接完成。熟练的工人往往会直接左手拿焊锡，右手拿烙铁，一起将元件吸住放入焊盘，这样焊接的速度会快很多。
贴片IC的焊接。刚毕业的时候没人教阿南焊，也没见过其它人是如何焊贴片IC的。先将IC放在焊盘上，放正了，用左手小指按住（固定）IC，母指和食指拿着焊锡，右手拿烙铁焊，而且一个管脚一个管脚小心翼翼的焊，生怕相邻管脚短路，当IC管脚不是很密时这种方法还是可以应付的。当如TSOP I封装的IC，管脚很密，很容易使相连管脚短路，此时频繁的用助焊剂。刚开始助焊剂还是有些效果，点上后，用烙铁一接触被焊锡短路的焊盘，它们立刻就分开了。但多次使用后IC周围已经变得很脏，有些焊盘也快脱落了，有时一个上午就焊了一片存储器（TSOP II 54）。后来见到专门焊板子的小姑娘焊更密的芯片，将IC放正，先焊一个脚后，看IC是否完全放正，再将其调正（因为只固定一个脚时，IC还是可以挪动的），然后熔化很多的焊锡在管脚上使其完全固定，再在另一排（有些IC是两排管脚，有些是四排）上也熔化很多的焊锡在管脚上，再用烙铁头放在堆着焊锡的管脚及焊盘上，往反的拖（有时左手还要将PCB板做些倾斜），此时焊锡居然很有活性的跟着烙铁头流动，而相邻的管脚居然也不会短路。看了之后，我非常的惊讶（后来才知道，贴片的IC就是这样焊的），就请小姑娘教。起初怎么拖，焊锡都不听话，也拖不动，特别是拖到最后两个管脚时总分不开它们，总感觉手拿着烙铁特别的僵硬。经过反复的练习（在调试板子需要换IC时，总是给自己练习的机会，而不麻烦小姑娘），慢慢的也就有了些体会，也知道手怎么动才能将短接的相邻管脚分开，烙铁的温度应该调到多少合适（有些IC在极限参数表中会给出焊接温度和持续时间，如260度/10s等，一般在焊普通元件时，都将恒温烙铁调到接近340度，如果拖密集型的IC还要高些），先是自如的拖50mil间距的SOIC，再拖密些的TSOP II，再到更密的TSOP I，管脚更多的LQFP等。而这些经过反复练习领悟出来的技巧，特别是手的细微摆动等真的很难用言语来表达，因此读者如果希望自己能够自如的焊接这些IC，必须亲自去练习体会。
前一段时间，公司数台电脑遭雷击，其中一台电脑能启动，但鼠标、Modem、软驱不能用，不管在DOS下还是在Win98下都一样，当连上Modem时，总是出现打开端口错误。我打开机箱一看，发现是SOYO(梅捷)5TE I430FX主板。在主板的前面，靠近COM插针旁的两块芯片中，有一块被打出了一个大洞。经过万用表的测量和详细观察，原来这两块芯片(GD75232)的引脚，一边是连到COM1和COM2口上的插针，另一边则是连到控制芯片(UMC UM8669BF)的。当时以为没办法修理，只好报废。最近，经朋友介绍，去了几次电子旧货市场，一日偶得一块旧主板I430 VX(花去2元钱)，看到主板上的COM控制芯片GD75232是好的，于是，突发奇想，是不是把它的GD75232芯片换到我原来损坏的主板上就可以了呢？我找出原主板，注意到GD75232芯片是双列直插式引脚，共20只，每边10只。若要将它焊下，则要用到电子技术上常用的焊集成块的方法──堆焊，就是先把锡放在各引脚上，把各引脚连起来，这样，当烙铁在一处加热时，其它的每个引脚也被加热，然后，用刀片将该集成块轻轻地撬起，
此处须特别注意的是，不要弄乱或弄断主板上电路间的连线。此外，因主板一般有7层电路，不要用烙铁在一处加热得太久了，最好找一位有电子设备维修经验的技术人员在旁指
导；焊好后，打开电脑试机，鼠标、Modem、软驱还是不能用。再经观察和测试，发现软驱的连线是直接连到控制芯片UMC UM8669BF上的，由此可以推断UMC UM8669BF一定是被高电压所损坏了。然后，我用旧主板上的UMC UM8669BF替换它，再开机一试，OK，Win98居然找到新硬件了，仔细一看，原来是软驱控制器、COM1、COM2。鼠标也能用了，装好Modem，猫也飞奔似地跑，主板真的恢复到了以前的样子了。
经过我的观察，从486到奔腾机，主板上的COM控制芯片基本上都是GD75232或GD75232D芯片，当把它们取下来时，下面电路板上写的是GD75232，也就是说这两种芯片的作用是一样的，具体的区别我还没有发现；还有就是控制芯片UMC 8669BF，它是控制COM口、软驱等工作的，但有一些主板上用的是UMC 8663BF，经过试验，UMC 8669BF与UMC 8663BF可以直接代换；但在进行芯片代换时，必须注意它们的引脚是否相同，否则就不要进行下一步。
倒装芯片封装技术 (FC) 是由IBM公司在上个世纪60年代开发的, 即将芯片正面朝下向基板进行封装。15年前, 几乎所有封装采用的都是引线键合, 如今倒装芯片技术正在逐步取代引线键合的位置, 这种封装方式无需引线键合, 因此可以形成最短电路, 从而降低电阻;并且采用金属球进行连接可以缩小封装尺寸, 改善电性表现, 从而解决了BGA为增加引脚数而需扩大体积的困扰。采用倒装芯片封装技术可以降低生产成本, 提高速度及组件的可靠性。
1 倒装芯片技术的优点
1.1 完整性、可靠性强
倒装芯片相当于一个完全封装的芯片, 它是由锡球下的冶金与芯片钝化层密封的, 并提供下一级封装的内连接结构。将一个构造合理的倒装芯片安装在适当载体上用于内连接, 即使没有其他灌封, 该载体也可以满足所有可靠性要求。
1.2 自我对准能力强
在锡球回流时, 焊锡受表面张力的作用, 可以自动纠正芯片微小的对准偏差, 从而提供了装配制造的合格率。同时倒装芯片技术也提供低电感, 在高频应用中起到至关重要的作用。
1.3 将电源带入芯片的每个象限
倒装芯片技术可以将电源带入芯片的每个象限, 即在整个芯片面积上, 其电流是均匀分布的。
1.4 成本低廉
倒装芯片技术消除了封装并减小了芯片的尺寸, 因此节省了硅的使用量, 降低了制作成本。
2 倒装芯片技术分析
2.1 形成凸点技术
凸点形成技术可以分为淀积金属、机械焊接、基于聚合物的胶粘剂等几个类型。
1) 金属电镀技术
一般是在电镀槽里, 把基片当作阴极, 利用静态电流或者脉冲电流来完成焊料的电镀。在镀上所需厚度的焊料后, 就可以把光致抗蚀剂清除掉, 这时焊料凸点制作完成。电镀的优势是可以在非常小的间距内印刷, 而且可以保证足够的焊料以得到更高的高度。电镀的不足之处在于它的启动成本较高, 生产设备的占用面积较大, 电解液会造成更多的浪费, 选择合金的灵活性少。
化学镀是一种新型的金属表面处理技术, 该技术以其工艺简便、节能、环保日益受到人们的关注, 其镀层均匀、装饰性好, 并且能提供产品的耐蚀性和使用寿命, 在印刷电路行业应用较为广泛, 近年来其通过化学形成凸点的技术也应用到倒装芯片中来。由于化学性质非常准确, 在化学倒装片凸点技术工艺中, 化学镀镍技术应用较为普遍。如果铝没有与镍同时电镀, 就可使用中间浸液电镀锌技术。在典型状况下, 镍受到金涂层保护, 形成的金毛刺适于焊接及胶粘剂压焊。化学镀镍凸点技术工艺简单、成本低, 是主要的倒装芯片凸点工艺。
2) 机械形成凸点技术
此技术使用标准线连接过程以形成凸点, 钎料丝可以使用金丝或铅基钎料丝。凸点形成过程与线连接过程相同, 不同之处在于丝端成球后, 在球端加热使之断开, 最后形成有短尾部的凸点, 随后重熔过程可获得具有特定高度的球形凸点。为保证在球附近形成光滑的断裂口, 可以使用含有1%铂的金丝作为钎料丝。柱式凸点形成技术, 长期使用于试制形式, 由于通过引线键合机获得了惊人的速度, 已移入生产模式, 金和金凸点及焊料凸点均被实施。
3) 聚合物凸点技术
它采用导电聚合物制作凸点, 设备和工艺相对简单, 是一种高效、低成本的倒装芯片技术。采用这种技术无需高温也不允许焊料合金再流, 没有α辐射和铅, 而且工序简单, 首先放置好聚合物, 然后便可进行焊接。由于各种胶粘剂不能直接用在铝上, 所以通常把它们应用于金焊盘。
2.2 压焊技术
共晶焊料构成的凸点, 包含压焊和连接材料。首先将凸点用免清洗焊剂涂覆并置于板上, 然后像普通的SMD元件一样进行焊料回流。仅对凸点提供焊剂是较难的, 特别是当使用下填充物时, 焊剂熔解轮将被用来给凸点和导电胶提供焊膏。
不熔的芯型凸点 (如镍凸点) , 在其组装过程中应增加连接材料。可通过丝网印刷、模板印刷或针式印刷等形式将焊料分配到电路载体上, 然后放置芯片并进行焊料回流。
使用印刷或分配方法可把导电胶提供给电路载体或凸点, 即聚合物浸涂芯片法 (PDC) 。使用装满粘附膏的“焊剂熔解轮”, 在旋转盘或别的储层的外面涂覆胶粘剂, 厚度略小于凸点高度。把芯片放入膏中并用粘着凸点的胶粘剂抽出, 把倒装芯片置于电路上并进行胶粘剂固化。
2.3 下填充技术
目前使用的下填充系统可以分为3类, 即毛细管底部填充、助焊 (非流动) 型底部填充和四角或角-点底部填充系统。每类下填充系统都存在其优势和局限性, 目前应用比较广泛的是毛细管底部填充材料。毛细管底部填充的应用范围包括板上倒装芯片和封装内倒装芯片。通过采用底部填充可以分散芯片表面承受的应力进而提高了整个产品的可靠性。在传统倒装芯片和芯片尺寸封装 (CSP) 中使用毛细管底部填充的工艺类似。首先, 将芯片粘贴到基板上已沉积焊膏的位置, 之后进行再流, 这样就形成了合金互连。在芯片完成倒装之后, 采用分散技术将底部填充材料注入到CSP的一条或两条边。材料在封装下面流动并填充CSP和组装电路板之间的空隙。毛细管底部填充可以极大地提高可靠性, 但是要完成这一工艺, 需底部填充材料的注入设备、足够的厂房空间安装设备以及可以完成精确操作的工人。
在倒装片和PCB之间加入下填充物可靠性提高了一个数量级或更多。经过硬化的下填充物把板移动定位在硅芯片的移动上。低膨胀、极高模量无机硅至少在表面上成为限制有机PCB膨胀的约束力。
2.4 检测技术
倒装芯片的最终质量受制作中每个工艺过程的影响, 因此在倒装芯片制作的3个工艺阶段, 均应安排检测工序。在圆片生产阶段应检测圆片表面及凸点有无缺陷, 凸点尺寸是否合格, 基本的材料与平整性等;在组装阶段主要是检测芯片与基片连接的可靠性, 一般应进行高温和热循环测试, 并应在测试后检查芯片和基片的裂纹。同时在该阶段还应检测是否存在组装缺陷, 如焊点开路、短路, 焊料缺损等, 有些情况下还应对芯片底部填充材料的缺陷 (如是否存在气泡等) 进行检测;应用阶段的检测内容基本与组装阶段相同。倒装焊芯片检测的方法可以分成接触式和非接触式检测2类。前者包括电测试、边界扫描和功能测试等方法。它们可以很好检测到芯片的短路和开路, 但不能有效地区别焊点缺陷, 无法判断冷焊点连接或机械连接等不合格的连接形式, 所以不能提供长期可靠性的判断。另外由于是接触式测量, 会对芯片的表面造成损坏。而非接触检测技术不但可以检测到芯片中的微观特性, 对器件不会造成损坏, 如自动光学检测, 自动X射线检测、声学检测等还能提供良好的工艺控制信息。
3 结论
随着电子封装越来越趋于向更快、更小、更便宜的方向发展, 要求缩小尺寸、增加性能的同时, 必须降低成本。倒装芯片技术正是为了适应这种趋势而产生的。目前全球很多家公司正在研究并开发倒装芯片技术, 为推动倒装芯片技术的发展贡献着自己的力量。
摘要：倒装芯片封装技术 (FC) 是由IBM公司在上个世纪60年代开发的, 即将芯片正面朝下向基板进行封装。本文论述了倒装芯片技术的优点, 并对其凸点形成技术、测试技术、压焊技术和下填充技术进行了分析, 为倒装芯片技术的发展提供借鉴。
关键词：倒装芯片技术,优点,凸点技术,测试技术,压焊技术,下填充技术
参考文献
[1]杜长华, 陈方.电子微连接技术与材料[M].机械工业出版社, 2008.
[2]李福权, 王春青, 张晓东.倒装芯片凸点制作方法[J].电子工艺技术, 2003.
[3]杨邦朝, 张经国.多芯片组件 (MCM) 技术及其应用[M].电子科技大学出版社, 2001.
关于芯片的好消息在2007年的第一个季度里，一股脑的涌现出来。使得那条持续了40年的摩尔定律，在渐行渐远之际，又被拉回到产业中央。
过去，为了延续摩尔定律，芯片产业一直在追求更高的集成度。这也就意味着，谁能够极大限度地提高芯片上必不可少的模块、微小的开关—晶体管的数量，并将传输速率和功耗降到最低，谁就取得了芯片革命的话语权。
而无论是英特尔、惠普，还是IBM和AMD，都纷纷将研发的重心投向纳米工艺。去年，65纳米芯片已经全面实现量产；最近，有关英特尔即将推出45纳米（十亿分之一米）工艺芯片的传闻一直沸沸扬扬。45纳米芯片的量产即将进入一个关口，而与65纳米工艺相比，45纳米工艺可使晶体管的密度提高两倍，达到10亿个，开关速度可提高20%，而功耗可降低三成。按照此种速度推进，预计到2011年，芯片的制造工艺将可达到22纳米的级别。
但是，越向前迈进，芯片产业遇到的技术瓶颈就越趋于复杂。产业现在形成了两个方向的突围之势：一方面在不改变原有工艺的情况下，在材料上下功夫；另一方面，则在设计环节出新。
在材料方面，芯片巨头们已经跨入了一个金属时代。就在今年1月底，英特尔和IBM分别对外宣布，两家公司各自最新研究的新材料技术已经走出了实验室。这两位巨头不仅在公布消息的时间上仅相隔几个小时，而且在思路上也格外相似，即把晶体管中负责控制开/关功能的关键部分，用一种新型的合金材料来替代原有的硅。这将有效解决现有半导体生产中，随着晶体管缩小而产生的漏电和发热问题。
“硅谷”并不用因此而重新命名，因为晶体管中的大部分材料仍将继续使用硅，因为再也找不到比它更为低廉的材料了。IBM的研究是与AMD及东芝等合作伙伴联手进行的，这意味着，英特尔还无法仅依靠这一技术远远地甩开对手AMD。不过，随着新材料而带来的成本提升，AMD要想进一步打好价格战恐怕将会更加艰难。
几乎在同一时间，惠普也传出了好消息。与竞争对手不同的是，惠普的研究人员从改进芯片架构的角度来减小芯片的体积。简单的说，惠普是将芯片内部的一些东西放到外面来，用外置纳米线来取代芯片内部的通讯线。这样的做法让整个产业眼前一亮，因为这在降低缩小芯片体积难度的同时，有效降低了芯片的成本。但惠普表示，这一芯片模型还仅存于实验室中，真正投入生产要等到2010年。
芯片产业正面临着一套全新的设计哲学：晶体管已不再像过去那样值钱，而曾经不被重视的能耗问题现在则被当作设计中的重点。厂商们在把越来越多的晶体管堆积在一起，过去的单处理器内核表现稳定，但现在纳米技术让每个芯片可容纳的内核数越来越多，但容错率和对软件的依赖程度却大幅提升。
2月11日，英特尔对外宣布，已经成功开发出了世界上速度最快的芯片——可容纳80个内核。早在去年，英特尔就发布了针对这项技术的报告，而仅隔一年时间，英特尔便宣布这项技术将可在5年之内投入商用。这个尺寸只有指甲盖大小的芯片，能够以几乎难以想象的每秒1万亿次浮点运算速度运算。
说到BGA芯片的焊接，不能不提BGA芯片的植球(有人把它叫作植珠)，植球(或植珠)是指把锡球或锡浆植到BGA芯片的焊盘上的过程，对手机等小块电路板，一般用不锈钢加工的钢网，扣到芯片上抹上锡浆，用热风或红外加热使锡球在BGA芯片的焊盘上预成形，这种植球(或植珠)的方式植出的锡球在尺寸上误差较大，但由于芯片的尽寸较小，还不至于影响焊接的成功率，对于电脑主板等大块电路板或大的BGA芯片，用锡浆预成形锡球就不可靠了，往往要用现成的锡球，同样是用不锈钢加工的模板和热风焊台把锡球植在BGA芯片的焊盘上，
在植球这一问题上，我们东方维修网的技术人员也作了大量的实验，通过与专业的加工厂合作，目前可独自绘图，定作各种规格、尺寸、型号、厚度的钢网模板。
TI 德州仪器固定输出稳压器,可调分流电压稳压器 ,可调稳压器
1.固定输出稳压器（标准线性电源）2.MC79L05ACLPR：小电流负电压稳压器
3.MC79L12ACLP：小电流负电压稳压器
4.MC79L15ACLP：小电流负电压稳压器
5.TL780-05KCS：5V,1.5A稳压器
6.TL780-12KCS：12V,1.5A稳压器
7.TL780-15KCS：15V,1.5A稳压器
8.UA7805CKC：5V通用大电流正电压稳压器
9.UA7810CKC：10V通用大电流正电压稳压器
10.UA7812CKC：12V通用大电流正电压稳压器
11.UA7815CKC：15V通用大电流正电压稳压器
12.UA78L02ACLP：2V用小电流正电压稳压器
13.UA78L05ACD：5V,100mA电压稳压器
14.UA78L05ACLP：5V通用小电流正电压稳压器
15.UA78L05ACPK：5V,100mA电压稳压器
16.UA78L05CLP：通用低电流正电压稳压器
17.UA78L06ACLP：6V通用小电流正电压稳压器
18.UA78L08ACLP：8V通用小电流正电压稳压器
19.UA78L09ACLP：9V通用小电流正电压稳压器
20.UA78L09CLP：9V通用小电流正电压稳压器
21.UA78L12ACPK：12V,100mA电压稳压器
22.UA78L15ACLP：15V通用小电流正电压稳压器
23.UA78M05IDCY：5V,500mA固定输出电压稳压器
24.可调分流电压稳压器（标准线性电源）25.TL431ACDBVR：3端可调精密分流稳压器
26.TL431ACDR：3端可调精密分流稳压器
27.TL431ACLP：3端可调精密分流稳压器
28.TL431AIDBVR：3端可调精密分流稳压器
29.TL431AIDBVT：3端可调精密分流稳压器
30.TL431AILP：3端可调精密分流稳压器
31.TL431AILPR：3端可调精密分流稳压器
32.TL431BILP：3端可调精密分流稳压器
33.TL431CD：3端可调精密分流稳压器
34.TL431CDR：3端可调精密分流稳压器
35.TL431CLP：3端可调精密分流稳压器
36.TL431CLPR：3端可调精密分流稳压器
37.TL431IDBVT：3端可调精密分流稳压器
38.TL431QPK：3端可调精密分流稳压器
39.TLV431ACDBVR：低压可调精密分流稳压器
40.TLV431IDBVT：低压可调精密分流稳压器 41.可调稳压器（标准线性电源）42.LM317DCY：1.5A可调稳压器
43.LM317KC：3端1.5A可调稳压器
44.LM317KTER：3端1.5A可调稳压器
45.LM317MDCYR：3端500mA可调稳压器
46.LM317MKTPR：3端500mA可调稳压器
47.LM337KC：3端1.5A可调稳压器
48.TL317CLP：3端100mA可调稳压器
49.TL783CKC：高电压大电流可调输出稳压器
50.TL783CKTER：高电压大电流可调输出稳压器
51.UA723CN：可调150mA精密稳压器
ON 安森美固定输出稳压器,可调分流电压稳压器 ,可调稳压器
1.固定输出稳压器（标准线性电源）2.LM350TG：三端负固定电压的稳压器
3.MC7805ABD2T：三端正固定电压的稳压器
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5.MC7805ABD2TR4G：三端正固定电压的稳压器
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7.MC7805ABTG：三端正固定电压的稳压器
8.MC7805ACD2TR4G：三端正固定电压的稳压器
9.MC7805ACTG：三端正固定电压的稳压器
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11.MC7805BD2TR4G：三端正固定电压稳压器
12.MC7805BDTG：三端正固定电压稳压器
13.MC7805BDTRKG：三端正固定电压的稳压器
14.MC7805BT：三端正固定电压的稳压器
15.MC7805BTG：三端正固定电压的稳压器
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17.MC7805CD2TR4：三端正固定电压的稳压器
18.MC7805CD2TR4G：三端正固定电压的稳压器
19.MC7805CDTRKG：三端正固定电压的稳压器
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23.MC7806BD2TR4G：三端正固定电压的稳压器
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25.MC7808ABD2TR4G：三端正固定电压稳压器
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29.MC7808BD2TR4G：三端正固定电压的稳压器
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31.MC7808CD2TR4G：三端正固定电压稳压器 32.MC7808CT：三端正固定电压的稳压器
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60.MC7815CT：三端正固定电压的稳压器
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83.MC78L12ACDR2：三端小电流正固定电压稳压器
84.MC78L12ACPG：三端小电流正固定电压稳压器
85.MC78L15ABDR2G：三端小电流正固定电压稳压器
86.MC78L15ABPG：三端正固定电压的稳压器
87.MC78L15ACDR2：三端小电流正固定电压稳压器
88.MC78L18ACP：三端小电流正固定电压稳压器
89.MC78L24ACP：三端小电流正固定电压稳压器
90.MC78LC15NTRG：三端小电流正固定电压稳压器
91.MC78LC18NTRG：三端正固定电压稳压器
92.MC78LC30HT1G：三端正固定电压的稳压器
93.MC78LC33HT1G：三端正固定电压的稳压器
94.MC78LC33NTRG：三端正固定电压的稳压器
95.MC78LC50HT1G：三端正固定电压的稳压器
96.MC78LC50NTRG：三端正固定电压的稳压器
97.MC78M05ABDT：三端中电流正固定电压稳压器
98.MC78M05ABDTRKG：三端正固定电压的稳压器
99.MC78M05ABT：三端正固定电压的稳压器
100.MC78M05ABTG：三端正固定电压的稳压器
101.MC78M05ACDTRKG：三端正固定电压稳压器
102.MC78M05BDT：三端正固定电压的稳压器
103.MC78M05BDTRK：三端正固定电压的稳压器
104.MC78M05BDTRKG：三端正固定电压的稳压器
105.MC78M05CDTG：三端正固定电压稳压器
106.MC78M05CDTRK：三端中电流正固定电压稳压器
107.MC78M05CDTRKG：三端正固定电压的稳压器
108.MC78M05CTG：三端正固定电压的稳压器
109.MC78M06CDTRK：三端中电流正固定电压稳压器
110.MC78M08ACDTRK：三端中电流正固定电压稳压器
111.MC78M08BDT：500mA正输出电压稳压器
112.MC78M08BDTG：三端正固定电压的稳压器
113.MC78M08BDTRKG：三端正固定电压的稳压器
114.MC78M08CDTG：三端正固定电压的稳压器
115.MC78M08CDTRKG：三端正固定电压稳压器
116.MC78M09BDT：500mA正输出电压稳压器
117.MC78M09BDTG：三端正固定电压的稳压器
118.MC78M09BDTRKG：三端正固定电压稳压器
119.MC78M09CDTRK：三端中电流正固定电压稳压器 120.MC78M09CDTRKG：三端正固定电压的稳压器
121.MC78M12ABDTG：三端正固定电压的稳压器
122.MC78M12ABDTRKG：三端正固定电压的稳压器
123.MC78M12ABTG：三端正固定电压的稳压器
124.MC78M12BDT：500mA正输出电压稳压器
125.MC78M12BDTRKG：500mA正输出电压稳压器
126.MC78M12BTG：500mA正输出电压稳压器
127.MC78M12CDTG：三端正固定电压的稳压器
128.MC78M12CDTRK：三端中电流正固定电压稳压器
129.MC78M12CTG：三端正固定电压的稳压器
130.MC78M15ABT：三端正固定电压的稳压器
131.MC78M15BDT：500mA正输出电压稳压器
132.MC78M15BDTG：三端正固定电压的稳压器
133.MC78M15BDTRKG：500mA正输出电压稳压器
134.MC78M15BTG：三端正固定电压的稳压器
135.MC78M15CDTG：三端正固定电压的稳压器
136.MC78M15CDTRK：三端中电流正固定电压稳压器
137.MC78M24CT：三端中电流正固定电压稳压器
138.MC78M24CTG：三端正固定电压的稳压器
139.MC78PC18NTRG：低噪音低压差线性稳压器
140.MC78PC25NTRG：150mA正输出电压稳压器
141.MC78PC30NTRG：低噪音低压差线性稳压器
142.MC78PC50NTRG：低噪音低压差线性稳压器
143.MC7905.2CTG：1A负压稳压器
144.MC7905ACD2TG：1A负压稳压器
145.MC7905ACD2TR4G：1A负压稳压器
146.MC7905ACTG：1A负压稳压器
147.MC7905BD2TG：1A负压稳压器
148.MC7905BD2TR4：三端负固定电压的稳压器
149.MC7905BD2TR4G：1A负压稳压器
150.MC7905CT：三端负固定电压的稳压器
151.MC7905CTG：1A负压稳压器
152.MC7906CD2T：三端负固定电压的稳压器
153.MC7908CD2TG：1A负压稳压器
154.MC7908CD2TR4G：1A负压稳压器
155.MC7908CT：三端负固定电压的稳压器
156.MC7912ACTG：1A负压稳压器
157.MC7912BD2TR4G：1A负压稳压器
158.MC7912BTG：1A负压稳压器
159.MC7912CD2TR4：三端负固定电压的稳压器
160.MC7912CT：三端负固定电压的稳压器
161.MC7912CTG：1A负压稳压器
162.MC7915ACD2TG：三端负固定电压的稳压器
163.MC7915BD2TG：1A负压稳压器 164.MC7915BTG：1A负压稳压器
165.MC7915CT：三端负固定电压的稳压器
166.MC7915CTG：1A负压稳压器
167.MC7918CT：三端负固定电压的稳压器
168.MC7924CT：三端负固定电压的稳压器
169.MC79L05ABP：三端负固定电压的稳压器
170.MC79L05ABPG：0.1A负压稳压器
171.MC79L05ABPRAG：三端负固定电压的稳压器
172.MC79L05ACDR2：三端小电流负固定电压的稳压器
173.MC79L05ACPG：0.1A负压稳压器
174.MC79L12ABPRAG：0.1A负压稳压器
175.MC79L12ACDR2：三端小电流负固定电压的稳压器
176.MC79L15ACDR2：三端小电流负固定电压的稳压器
177.MC79L18ACP：三端小电流负固定电压的稳压器
178.MC79L24ACP：三端小电流负固定电压的稳压器
179.MC79M05BDTG：0.5A负压稳压器
180.MC79M05BDTRKG：0.5A负压稳压器
181.MC79M05BT：500mA负输出电压稳压器
182.MC79M05CDTRK：三端中电流负固定电压的稳压器
183.MC79M08CDTRK：三端中电流负固定电压的稳压器
184.MC79M12BT：500mA负输出电压稳压器
185.MC79M12CDTG：0.5A负压稳压器
186.MC79M12CDTRK：三端中电流负固定电压的稳压器
187.MC79M15BDTG：0.5A负压稳压器
188.MC79M15BDTRKG：0.5A负压稳压器
189.MC79M15BT：三端负固定电压的稳压器
190.MC79M15CDTRK：三端中电流负固定电压的稳压器
191.MC79M15CTG：0.5A负压稳压器
192.NCV7805BTG：1A, 5V, ±4%误差稳压器，193.NCV8141D2TG：5V, 500mA线性稳压器带 ENABLE, /RESET,和看门狗
194.可调输出稳压器（标准线性电源）195.LM317BD2TG：可调整的3端正电压稳压器
196.LM317BD2TR4G：可调整的3端正电压稳压器
197.LM317BTG：可调整的3端正电压稳压器
198.LM317D2T：可调整的3端正电压稳压器
199.LM317D2TR4：可调整的3端正电压稳压器
200.LM317D2TR4G：可调整的3端正电压稳压器
201.LM317LBD：可调整的3端正电压稳压器
202.LM317LBDR2：可调整的3端正电压稳压器
203.LM317LBDR2G：可调整的3端正电压稳压器
204.LM317LBZG：可调整的3端正电压稳压器
205.LM317LDR2G：可调整的3端正电压稳压器
206.LM317LZG：可调整的3端正电压稳压器
207.LM317MABDTG：可调整的3端正电压稳压器 208.LM317MBDTG：可调整的3端正电压稳压器
209.LM317MBDTRKG：可调整的3端正电压稳压器
210.LM317MBSTT3G：可调整的3端正电压稳压器
211.LM317MBTG：可调整的3端正电压稳压器
212.LM317MDT：可调整的3端正电压稳压器
213.LM317MDTRK：可调整的3端正电压稳压器
214.LM317MDTRKG：可调整的3端正电压稳压器
215.LM317MSTT3G：可调整的3端正电压稳压器
216.LM317MTG：可调整的3端正电压稳压器
217.LM317TG：可调整的3端正电压稳压器
218.LM337BD2TG：可调整的3端负电压稳压器
219.LM337BD2TR4G：可调整的3端负电压稳压器
220.LM337BTG：可调整的3端负电压稳压器
221.LM337D2T：可调整的3端负电压稳压器
222.LM337D2TG：可调整的3端负电压稳压器
223.LM337D2TR4G：可调整的3端负电压稳压器
224.LM337TG：可调整的3端负电压稳压器
225.NCV317BD2TG：1.5A可调稳压器
226.NCV317BD2TR4G：1.5A可调稳压器
227.NCV317BTG：1.5A可调稳压器
228.可调分流电压稳压器（标准线性电源）
229.NCV431AIDMR2G：3端可调精密分流稳压器
230.NCV431AIDR2G：3端可调精密分流稳压器
231.TL431ACDMR2G：3端可调精密分流稳压器
232.TL431ACLPRAG：3端可调精密分流稳压器
233.TL431ACLPREG：3端可调精密分流稳压器
234.TL431AILPRAG：3端可调精密分流稳压器
235.TL431BCDR2G：3端可调精密分流稳压器
236.TL431CDR2G：3端可调精密分流稳压器
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